B02B-XASK-1

   第一代可應(yīng)用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管是基于單晶硅的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal-oxideˉsemi∞nductorⅡeld effect transistor,MOSFET)。D.Kahng和M。M.Atalla(Bell實(shí)驗(yàn)室)于19⑾年制造出第一個(gè)MOsFET卩l(xiāng)。MOsFET在現(xiàn)代記憶元件、集成電路以及計(jì)算機(jī)中的微處理器中都有重要的應(yīng)用。例如,MOsFET可用于數(shù)字電路與邏輯電路中的加法器、轉(zhuǎn)移器、換流器、算法邏輯單元以及用于構(gòu)造序列邏輯線路等。將傳輸電子的MOSFET(NMO9與傳輸空穴的MOsFETOMo助結(jié)合起來制作在同一塊晶片上,就構(gòu)成了互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(∞mp℃mentary metal-oxidesemiconducto△CMo9,它是各類邏輯電路的基本單元。CMOS器件在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用,使電路中元器件的尺寸變小、穩(wěn)健性提高,功耗降低、噪音減小。目前,場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電子工業(yè)中最重要的控件,每年大約需要1019個(gè)。其中,大約99%都是基于單晶硅片的MOSFET。雖然單晶硅是在FET等微電子產(chǎn)品中應(yīng)用最廣泛的材料,但是單晶硅片比較昂貴、非常易碎,同時(shí)不適合大面積應(yīng)用。因此,人們逐漸嘗試用氫化非晶硅(a~si∶H)和多晶硅OˉsO薄膜來代替單晶硅。

這些薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究始于20世紀(jì)的六七十年代l。刨,目前非晶硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于主動(dòng)式的液晶顯示(active matrix Ⅱquidcrystal dsplay,AM-LCD)中。