最初應(yīng)用于微處理器中的場效應(yīng)晶體管
發(fā)布時(shí)間:2019/4/10 21:11:35 訪問次數(shù):923
鑒于人們對電子產(chǎn)品小型化、微型化的持續(xù)需求,場效應(yīng)晶體管的尺寸也不斷縮小。⒛世紀(jì)⒛年代最初應(yīng)用于微處理器中的場效應(yīng)晶體管,導(dǎo)電溝道長度為10um;而目前“位多核處理器中場效應(yīng)晶體管的溝道長度僅為351m。但是,發(fā)展到納米尺寸的場效應(yīng)晶體管,再進(jìn)一步的微型化就非常困難并且代價(jià)昂貴。例如,如果柵極介電層的厚度降低到2nm以下,由量子力學(xué)隧穿引起的電流泄漏將達(dá)到1A/cm2,使器件的關(guān)狀態(tài)產(chǎn)生嚴(yán)重問題,諸如能量損耗、熱量產(chǎn)生等。通過使用高介電常數(shù)的金屬氧化物,采用沉積方法制備的絕緣層,可以緩解電流泄漏的問題。但是,由于沉積介電層可導(dǎo)致界面缺陷以及電子散射,使得器件中載流子的遷移率下降。為了使場效應(yīng)晶體管尺寸進(jìn)一步微型化,必須尋找新型的場效應(yīng)晶體管活性
材料。
鑒于人們對電子產(chǎn)品小型化、微型化的持續(xù)需求,場效應(yīng)晶體管的尺寸也不斷縮小。⒛世紀(jì)⒛年代最初應(yīng)用于微處理器中的場效應(yīng)晶體管,導(dǎo)電溝道長度為10um;而目前“位多核處理器中場效應(yīng)晶體管的溝道長度僅為351m。但是,發(fā)展到納米尺寸的場效應(yīng)晶體管,再進(jìn)一步的微型化就非常困難并且代價(jià)昂貴。例如,如果柵極介電層的厚度降低到2nm以下,由量子力學(xué)隧穿引起的電流泄漏將達(dá)到1A/cm2,使器件的關(guān)狀態(tài)產(chǎn)生嚴(yán)重問題,諸如能量損耗、熱量產(chǎn)生等。通過使用高介電常數(shù)的金屬氧化物,采用沉積方法制備的絕緣層,可以緩解電流泄漏的問題。但是,由于沉積介電層可導(dǎo)致界面缺陷以及電子散射,使得器件中載流子的遷移率下降。為了使場效應(yīng)晶體管尺寸進(jìn)一步微型化,必須尋找新型的場效應(yīng)晶體管活性
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