H50326K102

   與上述氧等離子處理方法類似,將三氟甲烷氣體GF3H)引人低頻能量場產(chǎn)生的等離子,可以在ITO表面發(fā)生聚合反應(yīng),形成氟取代的碳聚合物薄膜CFt。該薄膜具有高解離能、低電阻率的特性,可以有效地提高ITO的功函數(shù)。經(jīng)CFtH低頻等離子處理ITO后再制備oLED器件,表現(xiàn)出較低的驅(qū)動電壓和較長的器件壽命.S,Hung等認(rèn)為C△H低頻等離子處理ITO,由氟原子與ITO表面結(jié)合形成的CFt緩沖層,一方面阻止ITO中銦向活性有機(jī)層的擴(kuò)散,另一方面可以對ITo表面進(jìn)行修飾,提高空穴注人的效率,防止ITO表面的退化[14,l習(xí)。cFx薄膜在ITo表面修飾,使器件性能提高的機(jī)制,除了上述防止ITo表面退化、阻止銦原子向有機(jī)層擴(kuò)散、提高空穴注人效率的解釋外,也有研究認(rèn)為CFt薄膜在ITO表面修飾降低了空穴注人效率。C。C,Hsiao等將CF∝薄膜引入聚合物OLED器件中,也得到了發(fā)光效率大大提高的結(jié)果。他們認(rèn)為,CFt薄膜起作用的機(jī)制是,由于CF方薄膜與聚合物之間形成很大的指向CF另表面的偶電層,電子能量升高,

ITO功函數(shù)減小,因此空穴注人勢壘增大,導(dǎo)致空穴注人效率降低�？昭ㄗ⑷�效率的降低有利于電子與空穴的注人平衡,提高載流子復(fù)合形成激子的效率,因此器件效率提高Ⅱ刨。如圖5.8所示,他們通過光電子能譜獲得的能級數(shù)據(jù)顯示,沒有C△層和包括C△層的空穴注入勢壘分別為0。∝eV和0,19eV。