HD74LS05P

   注人空穴,要求陽(yáng)極的真空能級(jí)與HTL的空穴真空能級(jí)臼OMO目匹配或相近,亦即陽(yáng)極功函數(shù)與HTL的HoMo相匹配。用作空穴注人的陽(yáng)極材料,需滿(mǎn)足以下條件:①高電導(dǎo)率;②優(yōu)良的化學(xué)及形態(tài)穩(wěn)定性;③高功函數(shù);④女日果陽(yáng)極一側(cè)是光輸出方向,則陽(yáng)極材料要求在整個(gè)可見(jiàn)光范圍內(nèi)有較好的透光性,以利于器件產(chǎn)生的光發(fā)射出來(lái)。功函數(shù)較高的金屬(金、銀、鋁、鎳等)、透明導(dǎo)電金屬氧化物rTCo∶transparent conductingoxide)、碳黑、導(dǎo)電聚合物等都被用作OLED的陽(yáng)極材料。這些電極材料的功函數(shù)大都在4.5。0eV,從有機(jī)材料角度考慮,HOMO能級(jí)在5,0~5,5eV的有機(jī)物可以有效地由陽(yáng)極注人空穴。

    銦錫氧化物Cndium tin oxide,ITO)是最常用的OLED陽(yáng)極材料,其功函數(shù)在4.0叫.5eV左右。ITO的特點(diǎn)是穩(wěn)定性好、透光性強(qiáng),可見(jiàn)光范圍內(nèi)透光率達(dá)⒛%)、電阻率低(約為2~4×10彳Ω.cm)。ITo的導(dǎo)電機(jī)制主要取決于,在淀積過(guò)程中產(chǎn)生的氧空缺、以及氧化銦中引人的錫,可形成n型摻雜。產(chǎn)生一個(gè)氧空缺將多出兩個(gè)電子,一個(gè)四價(jià)錫對(duì)三價(jià)銦的摻雜將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)過(guò)剩電子,這些都將形成n摻雜效應(yīng)。制備ITo薄膜通常采用真空濺射臼acuum sputting)、化學(xué)氣相沉積(chemical vapourdeposition,CVD),或者噴霧高溫分解(spray pyrolysis)等方法。靶材通常由In2O3摻雜10%snO2組成。由于ITO薄膜制備通常在21S°C以上的高溫進(jìn)行,柔性塑料襯底不能適用。因?yàn)楦邷貢?huì)使塑料襯底發(fā)生形變甚至裂解。低溫ITO薄膜生長(zhǎng)技術(shù)對(duì)柔性O(shè)LED非常重要。嘗試中的低溫ITO生長(zhǎng)技術(shù)包括脈沖燒蝕rpulsed ablation)、離子束輔助沉積(ion beam assisted depositionJ及負(fù)離子濺射技術(shù)oegative sputter on beam technology),其中負(fù)離子濺射技術(shù)是最有潛力的方法。