H8S/2623

   為了提高OLED性能,諸如降低驅(qū)動電壓、提高發(fā)光效率、改善器件穩(wěn)定性和延長壽命等,在ITO和空穴傳輸層之間往往會引入一個緩沖層,其作用機制有多種方式,闡述如下。

   增強空穴注入的緩沖層

   在以ITO為陽極的oLED器件中,經(jīng)過表面修飾的ITo功函數(shù)最大可 達5.0eV,有機空穴傳輸材料的HOMO通常在5,5eV左右,因此空穴由電極的注人通常有0,5eV左右的注人勢壘。為了減小電極與空穴傳輸層之間的注人勢壘,可在二者之間嵌人一個空穴能級適中的空穴注人層,形成能級的梯狀遞增,使空穴可以通過減小的勢壘分步注人到空穴傳輸材料中,提高注人效率,這類緩沖層包括PED0△Pss[po1y(3,4ˉethylenedioxythiophene)∶poly(styrenesulphonic acid)l叨、星形三級芳胺phenyl)aminoltrVhenylamine) 和 m~MTDATA (tris(m-methyldipheny1amino)⒒phenylamine)⒓劍等,分子結(jié)構(gòu)見圖5.10。PEDOT∶Pss通常應用在聚合物器件中,通過它的修飾可將ITO表面平 整化、增加注入,因此減少了器件短路幾率,延長器件壽命,降低驅(qū)動電壓.m~MTDATA和⒉TNATA主要用于小分子oLED器件,它們起到提高注人效率、增強有機材料與陽極表面之間的附著力、可以形成平整電極形貌的作用,因此通過這些材料對ITO表面的修飾,常常可以同時提高器件功率效率和增強器件壽命。