K9F5608U0D-PCB0

   基于咔唑的空穴傳輸主體材料

   含有咔唑的材料通常具有較好的空穴傳輸能力,在PhOLED研究中被廣泛地用作主體材料。理論和實驗研究都證明:由于咔唑基團中N原子上孤對電子的存在,這類材料的三線態(tài)和單線態(tài)之間的交換能通常很小,因此三線態(tài)和單線態(tài)能級差別少,導致較高的三線態(tài)能級明。較高的三線態(tài)能級,對磷光材料的摻雜非常有利,因為可以有效地將三線態(tài)激子限制在磷光材料上,防止三線態(tài)能量流失,這有助于提高器件效率及減少電流效率滑落。咔唑型主體材料可以分為三類:雙咔唑基材料(圖5,61)、單咔唑材料(圖5,⒍)、咔唑齊聚物。

    雙咔唑材料CBP是PhOLED器件中最早使用的磷光主體材料,其三線態(tài)能級是2,6eV陰,可以有效地用于綠色、紅色磷光材料的摻到。當CBP作為EML主體材料,高電子遷移率材料作為ETL,基于△(ppyJ3的器件效率可達1331m/W⑿9%尸叫,這是目前效率最高的k(ppy、器件。在CBP的碳3和碳咱位置修飾空間位阻較大的基團叔丁基,可以在保持材料寬能隙、高三線態(tài)能級的條件下,得到成膜性及熱穩(wěn)定性(rg=175℃)均有所提高的材料ttbCBP(圖5,61)。基于ttbCBP主體材料的綠光Irωpy)3器件、紅光、器件效率分別達到。將雙芴螺環(huán)與兩個咔唑結(jié)合,得到熱穩(wěn)定性好的材料CFL Ⅱ6刨。基于CFL主體材料的紅光△ωΦ3和綠光△opy、器件的量子效率都達到了13%,是較高的器件效率。另外,上述的紅光器件比相應基于CBP器件的壽命提高了5倍。