AA2214SURSK-AMT

   S與偏壓U。成正比，同樣功耗下使用低壓大電流比高壓小電流要安全得多。分析上式的分母可知，當發(fā)射極等效的串聯電阻（冬。+恚）比發(fā)射結動態(tài)電阻.s與（RE+急）成反比，這就是RB. RE的電流負反饋效應，所以RE. RB分別稱為發(fā)射極、基極鎮(zhèn)流電阻，正確設計（RE+急）值對提高功率管可靠性是很重要的。由上式分子中的第二項可見，AE。越大，則S越大，所以重摻雜引起發(fā)射區(qū)禁帶變窄效應，削弱了R。和R。的鎮(zhèn)流作用。這就是LEC(低發(fā)射區(qū)濃度)結構、多晶發(fā)射區(qū)結構以及新的異質結NPN(GaAIAs-GaAs)結構的雙極型晶體管熱穩(wěn)定性好的原因。

   二次擊穿(SB)現象不僅在雙極功率管中存在，而且在點接觸二極管、CMOS集成電路中也存在。當器件被偏置在某一特殊工作點(平面上USB、ISB處)時，電壓突然降落，電流突然上升，出現負阻的物理現象叫丘二次擊穿。這時若無限流或其他保護措施，器件將燒毀。雙極功率晶體管的二次擊穿情況。

   二次擊穿與雪崩擊穿（一次擊穿）不同，雪崩擊穿是電擊穿一旦反偏壓下降，器件（若擊穿是在限流控制下）又可恢復正常，它是可逆非破壞性的。二次擊穿是破壞性的熱擊穿，并且為不可逆過程，有過量電流流過PN結，溫度很高，使PN結燒毀。  肖特基勢壘二極管的正向壓降Uf及正向電流密度變化率碧比硅二極管小，故其熱 穩(wěn)定性相對較好。

   可得熱穩(wěn)定臨界曲線，臨界曲線以內為熱穩(wěn)定區(qū)。所以功率器件熱電是互為 反饋的，任意子器件上的電流增量必然會導致結溫增加，進而引起電流高度集中，出現熱 斑。熱斑處溫度迅速增加，經毫微秒至毫秒的延遲時間迅速趨于“熱奔”，直至器件燒毀。 與此相反，有時熱斑處溫度怛定，器件可暫時在這種狀態(tài)工作一段時間，稱此為穩(wěn)定熱 斑。其原因是熱斑處電流高度集中，出現了一系列高電流密度效應，例如，基區(qū)擴展效應和電流集邊效應，這些效應的綜合結果使S有下降趨勢，S≤1即為穩(wěn)定熱斑區(qū)。