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   由于PSBR<PSBO<PSBF，發(fā)射結(jié)反偏時最容易引起二次擊穿，這是由于反偏時電流在基區(qū)電阻上產(chǎn)生橫向壓降使電流聚集在發(fā)射區(qū)中間，電流密度更大所造成的。二次擊穿與電壓、電流脈沖作用時間和基區(qū)電阻率有關(guān)。

   防止二次擊穿，改善器件可靠性的措施包括以下幾方面。鎖效應(yīng)是指CMOS電路中寄生的固有可控硅結(jié)構(gòu)被外界因素觸發(fā)尋通，在電源和地 之間形成低阻通路現(xiàn)象，一旦電流流通，電源電壓不降至臨界值以下，導(dǎo)通就無法終止， 引起器件的燒毀，構(gòu)成CMOS電路一個主要的可靠性問題。隨著集成度的提高，尺寸縮 小，摻雜濃度提高，寄生管的hFE變大，更易引起閂鎖效應(yīng)。

   在發(fā)射極和集電極條上串接鎮(zhèn)流電阻，提高功率管二次擊穿耐量。對微波功率管也可利用鍵合引線的電感和氧化物電容組成的網(wǎng)絡(luò)，選擇適當(dāng)?shù)钠ヅ鋮?shù)實現(xiàn)功率的自動調(diào)整。

   發(fā)生二次擊穿的部位常是存在工藝缺陷的地方，如管芯與底座間燒結(jié)層的空洞，發(fā)射極鍵合點壓偏使鎮(zhèn)流電阻短路，硅鋁合金常使基區(qū)厚度不均勻等。這些缺陷使電流集中，熱阻增大，局部發(fā)熱過甚，導(dǎo)致PN結(jié)燒毀，所以要有針對性地加強工藝控制，確保工藝質(zhì)量。使用時根據(jù)手冊使其工作在安全工作區(qū)內(nèi)，在此區(qū)域內(nèi)不會引起二次擊穿或特性的緩慢退化。

   二次擊穿是器件內(nèi)部的現(xiàn)象，其擊穿機理及有關(guān)安全工作區(qū)等情況可參見有關(guān)教科書。

   由于CMOS IC結(jié)構(gòu)形成了PNPN四層寄生可控硅(SCR)結(jié)構(gòu)，也可視作PNP管和NPN管的串聯(lián)，這種寄生的晶體管的E-B結(jié)都并聯(lián)一個由相應(yīng)襯底構(gòu)成的寄生電阻，因此觸發(fā)閂鎖效應(yīng)的條件為以下方面。