技術(shù)對(duì)于傳感器較小輸出電壓的精確放大率至關(guān)重要
發(fā)布時(shí)間:2019/4/25 20:19:41 訪問(wèn)次數(shù):967
本章將簡(jiǎn)要討論如何在采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的運(yùn)算和儀表放大器中獲得低偏置、低噪聲以及高精度的相關(guān)技術(shù)。這些技術(shù)對(duì)于傳感器較小輸出電壓的精確放大率至關(guān)重要。自動(dòng)調(diào)零和斬波方法都會(huì)在本章中具體論述,無(wú)論是獨(dú)立使用還是互相組合使用,其目的都是為了使偏置電壓低于1uⅤ。頻率補(bǔ)償技術(shù)也將在本章中論述,其將導(dǎo)致斬波穩(wěn)零放大器中多通道結(jié)構(gòu)的連續(xù)一階頻率衰減特性。因此,這些放大器可以在標(biāo)準(zhǔn)反饋網(wǎng)絡(luò)中進(jìn)行組合使用。
同時(shí)實(shí)現(xiàn)精確的電壓增益⒕Ⅴ,低輸入偏置電壓吒s和高共模抑制比(Common ~ M。de R句ection Rauo,CMRR)是不太容易的。能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)低偏置電壓和高共模抑制比的最佳 +
放大器類型是運(yùn)算放大器(OpAmp, LN0A)。但是運(yùn)算放大器的增益難以被精確定義,其增益值通常過(guò)高,以至于需要利用運(yùn)算放大器周圍的反饋電 路來(lái)產(chǎn)生精確的結(jié)果。這一電路結(jié)構(gòu)如圖3.2所示。
本章將簡(jiǎn)要討論如何在采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的運(yùn)算和儀表放大器中獲得低偏置、低噪聲以及高精度的相關(guān)技術(shù)。這些技術(shù)對(duì)于傳感器較小輸出電壓的精確放大率至關(guān)重要。自動(dòng)調(diào)零和斬波方法都會(huì)在本章中具體論述,無(wú)論是獨(dú)立使用還是互相組合使用,其目的都是為了使偏置電壓低于1uⅤ。頻率補(bǔ)償技術(shù)也將在本章中論述,其將導(dǎo)致斬波穩(wěn)零放大器中多通道結(jié)構(gòu)的連續(xù)一階頻率衰減特性。因此,這些放大器可以在標(biāo)準(zhǔn)反饋網(wǎng)絡(luò)中進(jìn)行組合使用。
同時(shí)實(shí)現(xiàn)精確的電壓增益⒕Ⅴ,低輸入偏置電壓吒s和高共模抑制比(Common ~ M。de R句ection Rauo,CMRR)是不太容易的。能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)低偏置電壓和高共模抑制比的最佳 +
放大器類型是運(yùn)算放大器(OpAmp, LN0A)。但是運(yùn)算放大器的增益難以被精確定義,其增益值通常過(guò)高,以至于需要利用運(yùn)算放大器周圍的反饋電 路來(lái)產(chǎn)生精確的結(jié)果。這一電路結(jié)構(gòu)如圖3.2所示。
熱門點(diǎn)擊
- 最簡(jiǎn)單的形式是一個(gè)阻抗傳感器僅有兩個(gè)電極來(lái)執(zhí)
- 傳感器代表了導(dǎo)管頂端
- 任何傳感器的一個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)是最小可檢測(cè)的信
- 不少元器件或絕緣材料的壽命與電壓、電流、功率
- 在界面附近受體LUMO能級(jí)中的電子由于濃度較
- 模擬了檢測(cè)軸作為質(zhì)量塊-彈簧-阻尼系統(tǒng)集總參
- 利用雙DDS芯片而不是單一芯片對(duì)于應(yīng)用提出的
- 傳感器電極的電壓通過(guò)一個(gè)運(yùn)算放大器和源跟隨晶
- 通過(guò)對(duì)低于時(shí)鐘頻率的信號(hào)進(jìn)行斬波處理
- 所謂抽樣檢驗(yàn)是指依照規(guī)定的抽樣方案和抽樣程序
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