基于標記方法

   使用金納米顆粒標記靶分子的想法已經(jīng)大量出版報道,同時使用在雜交反應后銀沉淀析出的工藝步驟[3:4°]�；舅枷肴鐖D6,⒛所示,雜交化階段過后(如圖6,⒛a所示),銀大量附著在樣品上。出現(xiàn)在雙鏈DNA位置的金粒子作為銀簇集的種子層使其在這些位置開始生長(如圖6.⒛b所示)。經(jīng)過進一步沉淀,在相關位置形成致密的銀毯(如圖6,⒛c所示)。然而,隨著這個銀毯將進一步擴展并最終也覆蓋或較少數(shù)量或沒有雙鏈DNA分子的位置,所有基于這種技術的檢測均需要考慮所選擇用以探測銀層擴展的特征參數(shù)隨著時間的發(fā)展變化規(guī)律。

LL103A

   為了測量銀毯在所關注區(qū)域的擴展,提出了各種各樣的探測技術:

   1)絕緣層隔離的電極間電導率測量[3:]

   2)隔離電極間的交流參數(shù)測量[39]。

   3)光學衰減(通過CMOS成像芯片探測或完全純光學裝置)[40]。