強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗方法與技術(shù)

   試驗條件由溫度、相對濕PC1008度和器件上施加規(guī)定偏置的持續(xù)時間組成。典型的溫度、相對濕度和持續(xù)時間如表2-8所示。

   根據(jù)下列準則施加偏置:

   (l)最小功率耗散;

   (2)盡可能多地交替施加引出端偏置;

   (3)芯片上相鄰的金屬線之間的電壓盡可能一樣;

   (4)在工作范圍內(nèi)的最高電壓;

   (5)可采用兩種偏置中任意一種滿足上述原則,并取嚴酷度較高的一種。選擇持續(xù)偏置或循環(huán)偏置的標準和是否記錄芯片溫度超過試驗箱環(huán)境溫度的差值按表⒉9中的規(guī)定。

   表⒉9 偏置和記錄要求