氧化物陷阱電荷的特性

   如上所述,氧化物陷阱電荷是由于空穴在界面處被空穴陷阱俘獲所形成的,帶正電荷。

   在電離輻射過程中,IC61LV6416-12T氧化物陷阱電荷將會快速地大量產(chǎn)生,但是輻射產(chǎn)生的氧化物陷阱電荷并非永久保持著,而是會經(jīng)歷一個與時間相關的退火過程。氧化物陷阱電荷的退火過程,實際上就是氧化物陷阱電荷消失的過程。氧化物陷阱電荷的退火過程主要分為隧道退火和熱退火。隧道退火指的是由于襯底中的自由電子的隧穿效應,進入so2中與氧化物陷阱電荷復合的過程,此過程與界面勢有關,也即與外加偏置有關。熱退火指的是空穴受熱激發(fā)到價帶而脫離陷阱的過程,此過程與溫度有很大的關系。

   研究表明,室溫下氧化物陷阱電荷就會發(fā)生緩慢的退火效應,當溫度達到lOO℃時,氧化物陷阱電荷將會發(fā)生大量退火。在電離輻射的過程中,氧化物陷阱電荷的產(chǎn)生和退火是兩個相對獨立而又同時存 在的過程。電離輻射結(jié)束后,氧化物陷阱電荷也會繼續(xù)退火。

   界面態(tài)的特性

   輻射感生界面態(tài)的過程,就是Si-s⒑2界面處存在大量弱鍵在輻射作用阝斷裂成懸掛鍵的過程。界面態(tài)可以分為施主型和受主型兩類。輻射感生界面態(tài)所帶電荷的極性與襯底Si的摻雜有關。輻射感生界面態(tài)的產(chǎn)生和氧化物陷阱電荷不一樣,輻射感生界面態(tài)的產(chǎn)生與時間有很大的關系,而且在電離輻射結(jié)束后也依然會產(chǎn)生。而且常溫下,輻射感生界面態(tài)的生成速率非常緩慢。另外,輻射感生界面態(tài)的退火和氧化物陷阱電荷也不一樣。研究表明,輻射感生界面態(tài)在常溫下并不發(fā)生退火效應,當溫度高于125℃時,輻射感生界面態(tài)才會開始發(fā)生退火效應。