塑封器件染色滲透試驗(yàn)
發(fā)布時(shí)間:2019/5/23 21:12:19 訪問(wèn)次數(shù):2149
塑封器件染色滲透試驗(yàn)
1)試驗(yàn)設(shè)備K1S32161CD-FI70
試驗(yàn)中使用的設(shè)備主要有燒杯等玻璃容器、攪拌器、真空泵、真空箱、過(guò)濾器(優(yōu)于0127um)、烘箱、金相顯微鏡等。
2)試驗(yàn)程序
(l)滲透液制備。滲透液的組分包括低黏度液體浸滲劑(25℃時(shí)黏度小于1tlmP'・s)、與浸滲劑配合使用的催化劑、黃色熒光粉。
(2)排氣滲透。在燒杯中倒入足量的滲透液,將器件置入,液面應(yīng)覆蓋被測(cè)器件;把燒杯放入培養(yǎng)皿中,以便收集抽真空過(guò)程中溢出的溶液;把一個(gè)較大的燒杯扣置在盛有溶液燒杯的上方,以防止在真空爐中溶液飛濺:把燒杯等裝置放入真空箱;打開(kāi)真空泵;監(jiān)控真空條件下溶液的除氣。在1,3kPa左右真空度下降開(kāi)始強(qiáng)烈除氣?刂品艢忾y,以降低真空箱內(nèi)的真空度,使除氣過(guò)程中溶液不溢出;一旦除氣結(jié)束,關(guān)閉放氣閥并使壓力繼續(xù)下降;當(dāng)真空度達(dá)到40~133Pa時(shí),在此壓強(qiáng)下保持15min。15min后打開(kāi)放氣閥,直到真空箱內(nèi)壓強(qiáng)
與外部壓強(qiáng)平衡為止。將這些器件在此狀態(tài)下保持15min后,打開(kāi)真空箱取出燒杯。
(3)清洗與烘焙。從溶液中取出被試器件,用紙巾或棉條輕輕擦掉器件上多佘的溶液。然后被試器件放置在有蓋培養(yǎng)皿中,并把培養(yǎng)皿放入預(yù)熱至10O℃的烘干爐,烘焙時(shí)間為1h。
(4)剖面分析。被試器件一般應(yīng)評(píng)估長(zhǎng)軸上的一個(gè)剖面(檢測(cè)連接條)、短軸上的三個(gè)剖面(檢查最短引線,芯片邊緣或填充料邊緣)。在剖面制作過(guò)程中由于染料顆粒在剖面上的涂抹將會(huì)出現(xiàn)虛假現(xiàn)象(在紫外光下,污斑看起來(lái)像小星光),為了避免這種錯(cuò)覺(jué),務(wù)必在樣品研磨和拋光后要進(jìn)行徹底清洗。將制作好的剖面放于紫外光下拍攝剖面照片,觀察染料滲透情況,確定滲透深度。剖面分析需重點(diǎn)檢查的缺陷主要如下:
(l)裂紋或其他與封裝有關(guān)的缺陷;
(2)分層;
(3)染料滲透到芯片黏結(jié)處或芯片表面;
(4)在引線出口處染料滲透到超過(guò)引線端的50%;
(5)染料滲透到超過(guò)封裝內(nèi)引線長(zhǎng)度的50%。
塑封器件染色滲透試驗(yàn)
1)試驗(yàn)設(shè)備K1S32161CD-FI70
試驗(yàn)中使用的設(shè)備主要有燒杯等玻璃容器、攪拌器、真空泵、真空箱、過(guò)濾器(優(yōu)于0127um)、烘箱、金相顯微鏡等。
2)試驗(yàn)程序
(l)滲透液制備。滲透液的組分包括低黏度液體浸滲劑(25℃時(shí)黏度小于1tlmP'・s)、與浸滲劑配合使用的催化劑、黃色熒光粉。
(2)排氣滲透。在燒杯中倒入足量的滲透液,將器件置入,液面應(yīng)覆蓋被測(cè)器件;把燒杯放入培養(yǎng)皿中,以便收集抽真空過(guò)程中溢出的溶液;把一個(gè)較大的燒杯扣置在盛有溶液燒杯的上方,以防止在真空爐中溶液飛濺:把燒杯等裝置放入真空箱;打開(kāi)真空泵;監(jiān)控真空條件下溶液的除氣。在1,3kPa左右真空度下降開(kāi)始強(qiáng)烈除氣?刂品艢忾y,以降低真空箱內(nèi)的真空度,使除氣過(guò)程中溶液不溢出;一旦除氣結(jié)束,關(guān)閉放氣閥并使壓力繼續(xù)下降;當(dāng)真空度達(dá)到40~133Pa時(shí),在此壓強(qiáng)下保持15min。15min后打開(kāi)放氣閥,直到真空箱內(nèi)壓強(qiáng)
與外部壓強(qiáng)平衡為止。將這些器件在此狀態(tài)下保持15min后,打開(kāi)真空箱取出燒杯。
(3)清洗與烘焙。從溶液中取出被試器件,用紙巾或棉條輕輕擦掉器件上多佘的溶液。然后被試器件放置在有蓋培養(yǎng)皿中,并把培養(yǎng)皿放入預(yù)熱至10O℃的烘干爐,烘焙時(shí)間為1h。
(4)剖面分析。被試器件一般應(yīng)評(píng)估長(zhǎng)軸上的一個(gè)剖面(檢測(cè)連接條)、短軸上的三個(gè)剖面(檢查最短引線,芯片邊緣或填充料邊緣)。在剖面制作過(guò)程中由于染料顆粒在剖面上的涂抹將會(huì)出現(xiàn)虛假現(xiàn)象(在紫外光下,污斑看起來(lái)像小星光),為了避免這種錯(cuò)覺(jué),務(wù)必在樣品研磨和拋光后要進(jìn)行徹底清洗。將制作好的剖面放于紫外光下拍攝剖面照片,觀察染料滲透情況,確定滲透深度。剖面分析需重點(diǎn)檢查的缺陷主要如下:
(l)裂紋或其他與封裝有關(guān)的缺陷;
(2)分層;
(3)染料滲透到芯片黏結(jié)處或芯片表面;
(4)在引線出口處染料滲透到超過(guò)引線端的50%;
(5)染料滲透到超過(guò)封裝內(nèi)引線長(zhǎng)度的50%。
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