當(dāng)帶有靜電荷的物體與非帶電導(dǎo)體相接觸時(shí),帶電體會(huì)通過(guò)非帶電導(dǎo)體放電,這稱為靜電放電(Elcctro Statlc Disc・llae,EsD)。帶電體如果通過(guò)微電子器件來(lái)放電的,會(huì)給器件帶來(lái)靜電損傷,尋致失效。在H常I作過(guò)程中,器件會(huì)經(jīng)歷不同的階段,如用塑料包裝、從絕緣包裝取出、安裝和運(yùn)輸?shù)?這些過(guò)程均可能引起靜電放電,由此可見(jiàn),靜電放電(ESD)對(duì)器件造成失效及引起電路的干擾等問(wèn)題.

   GAL20V8B-10LJI

   通過(guò)ESD試驗(yàn)測(cè)和驗(yàn)證器件及設(shè)備的抗靜電放電干擾的能力。閆前很多標(biāo)準(zhǔn)都將EsD試驗(yàn)作為推薦或強(qiáng)制性內(nèi)容納入其中:靜電放電是指帶電物體的靜電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)某一極限值時(shí),使帶電物體附近簾問(wèn)的物質(zhì)產(chǎn)生電離的一種現(xiàn)象,模型主要有HR・M、MM及CDM

三種靜電放電模型J對(duì)于集成電路主要是按照GJB548B-2005方法3015進(jìn)行的。本方法給出了依據(jù)微電路受靜電放電(EsD)作用造成損傷和退化的敏感度對(duì)微電路進(jìn)行分類的程序。分級(jí)結(jié)果可用于GJB597確定合適的包裝和操作要求,并提供符合要求的分級(jí)數(shù)據(jù)。