(l)標(biāo)準(zhǔn)測試條件:

   如無其他規(guī)定,器件應(yīng)在下述條件下進(jìn)行電測試:

   環(huán)境溫度:25℃±~s℃;

   相對濕度:20%~80%;

   大氣壓力:86kPa~10孤Pa。 A1280XL-CQ172M

   (2)測試時(shí),半導(dǎo)體器件不應(yīng)承受超過器件最大額定值的工作條件。作為預(yù)防措施,應(yīng)避免引出端誤接、反接、短路,應(yīng)注意防止測試設(shè)備開啟、關(guān)閉而造成的浪涌電流加到器件上。

   (3)測試反向電流很小(如nA級)的器件時(shí),要注意保證測試夾具與測試儀器連接電路的寄生電流或外部漏流遠(yuǎn)小于被測器件的截止電流或反向電流。當(dāng)測試電流小于10nA,或者器件本身結(jié)電容比較大時(shí),需要增加總延遲及延遲時(shí)間來測試,例如使用總延遲50ms延遲40ms,或者總延遲100ms延遲80ms,來保證器件有足夠的充電時(shí)間。

   (4)當(dāng)可施加的測試條件有可能對器件產(chǎn)生功率耗散時(shí),為避免器件發(fā)熱引起的測量誤差或損傷器件,應(yīng)采取脈沖測試。除非另有規(guī)定,脈沖時(shí)間(轱)不大于10ms,占空比最大2%。在此范圍內(nèi),脈沖寬度必須長至足以適應(yīng)試驗(yàn)設(shè)備的能力和所要求的準(zhǔn)確度,短至足以避免發(fā)熱。

    ①當(dāng)測試器件電流大于10OlmA以上時(shí),建議測試時(shí)間為:總延遲1ms延遲0,8ms。

   ②當(dāng)測試器件電流大于1A以上時(shí),建議測試時(shí)間為:總延遲0.35ms延遲0.3ms。

   ③壩刂量增強(qiáng)型場效應(yīng)管(MOS管)的CrFs時(shí),測試時(shí)間一定要設(shè)定為總延遲0.35ms延遲0.3ms。功率較大時(shí),強(qiáng)烈建議降低電壓‰s,否則管子由于溫升太大,測試過程中極易損壞。

   ④每種器件的一般測試順序如下:

   二極管依次為:/F、BVR、fR;

   三極管依次為:ConTc吼、乃FE、擊穿類、漏流類、飽和類;

   可控硅依次為:凡T、吒T、其他參數(shù);

   增強(qiáng)型場效應(yīng)管:進(jìn)行測試CFs后需重測一些基本參數(shù),以保證器件無損壞,/Gsltll)、丿l]ss、BVDss、rDss、RDs(。lll、GFS、呢sc⑴、JGss。

    (5)一般測試系統(tǒng)中進(jìn)行擊穿類參數(shù)測試設(shè)定時(shí),通常都需要進(jìn)行擊穿最大值電壓的設(shè)定,如果不需要測試器件的實(shí)際擊穿電壓值,此設(shè)定值比測試結(jié)果的最小值稍大即可,建議比最小值大10%,如果要求必須測出器件被擊穿時(shí)的具體電壓值,這時(shí)候需設(shè)定此值比本批器件的最大電壓稍大些即可。