英特爾®睿頻2.0技術(shù)28V(140 W)的高壓供電或受電的嵌入式系統(tǒng)
發(fā)布時間:2021/8/13 23:40:15 訪問次數(shù):409
芯片簡稱為EZ-PD™ PMG1(Power Delivery Microcontroller Gen1),是英飛凌第一代USB 支持PD的MCU,針對需要高達28 V(140 W)的高壓供電或受電的嵌入式系統(tǒng)。
該器件支持USB PD 3.1規(guī)范中定義的更大功率,并利用MCU提供額外的控制功能。
新產(chǎn)品非常適合消費市場、工業(yè)市場和通信市場的諸多應(yīng)用,如智能揚聲器、路由器、電動工具和園藝工具等。
ASFET是一種新型MOSFET,經(jīng)過優(yōu)化,可用于特定應(yīng)用場景。
制造商:Analog Devices Inc. 產(chǎn)品種類:低壓差穩(wěn)壓器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MSOP-12 輸出電壓:- 2.5 V 輸出電流:1.5 A 輸出端數(shù)量:1 Output 極性:Negative 靜態(tài)電流:1.1 mA 最大輸入電壓:- 1.8 V 最小輸入電壓:- 30 V 輸出類型:Fixed 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 回動電壓:310 mV 系列: 封裝:Tube 商標:Analog Devices PSRR/紋波抑制—典型值:65 dB 工作電源電流:1.1 mA 產(chǎn)品類型:LDO Voltage Regulators 37 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:2 g
其它特色技術(shù)包括:
采用英特爾®睿頻2.0技術(shù),最高睿頻可達4.0 GHz
支持機器學(xué)習(xí)推理負載的英特爾®深度學(xué)習(xí)加速技術(shù)
支持最高可達4TB的 DDR4-3200 8 通道內(nèi)存
支持英特爾®高級矢量擴展指令集 512
支持糾錯碼(ECC)內(nèi)存
內(nèi)置可靠性、可用性和可維護性(RAS)技術(shù)
支持英特爾®傲騰™ 固態(tài)盤P5800X
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
芯片簡稱為EZ-PD™ PMG1(Power Delivery Microcontroller Gen1),是英飛凌第一代USB 支持PD的MCU,針對需要高達28 V(140 W)的高壓供電或受電的嵌入式系統(tǒng)。
該器件支持USB PD 3.1規(guī)范中定義的更大功率,并利用MCU提供額外的控制功能。
新產(chǎn)品非常適合消費市場、工業(yè)市場和通信市場的諸多應(yīng)用,如智能揚聲器、路由器、電動工具和園藝工具等。
ASFET是一種新型MOSFET,經(jīng)過優(yōu)化,可用于特定應(yīng)用場景。
制造商:Analog Devices Inc. 產(chǎn)品種類:低壓差穩(wěn)壓器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MSOP-12 輸出電壓:- 2.5 V 輸出電流:1.5 A 輸出端數(shù)量:1 Output 極性:Negative 靜態(tài)電流:1.1 mA 最大輸入電壓:- 1.8 V 最小輸入電壓:- 30 V 輸出類型:Fixed 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 回動電壓:310 mV 系列: 封裝:Tube 商標:Analog Devices PSRR/紋波抑制—典型值:65 dB 工作電源電流:1.1 mA 產(chǎn)品類型:LDO Voltage Regulators 37 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:2 g
其它特色技術(shù)包括:
采用英特爾®睿頻2.0技術(shù),最高睿頻可達4.0 GHz
支持機器學(xué)習(xí)推理負載的英特爾®深度學(xué)習(xí)加速技術(shù)
支持最高可達4TB的 DDR4-3200 8 通道內(nèi)存
支持英特爾®高級矢量擴展指令集 512
支持糾錯碼(ECC)內(nèi)存
內(nèi)置可靠性、可用性和可維護性(RAS)技術(shù)
支持英特爾®傲騰™ 固態(tài)盤P5800X
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