LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二極管適合用于高功率密度應(yīng)用
發(fā)布時間:2021/8/13 20:48:04 訪問次數(shù):427
碳化硅(SiC)二極管產(chǎn)品組合進行擴充,新增1700 V級產(chǎn)品。
這些產(chǎn)品為電力電子系統(tǒng)設(shè)計人員提供了多種性能優(yōu)勢,包括接近于零的反向恢復(fù)電流、高浪涌保護能力和175°C的最大工作結(jié)溫,因此它們非常適合需要提高效率、可靠性和簡化熱管理的應(yīng)用。
LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二極管 采用TO-247-2L封裝,可選擇額定電流(10A、25A或50A)。
這些產(chǎn)品可支持設(shè)計出轉(zhuǎn)換器中響應(yīng)更快的開關(guān)功率電子設(shè)備,然后可以在相同的輸出功率下讓外形尺寸更加緊湊,或者在相同的體積下提供更高的功率。
制造商: Mini-Circuits
產(chǎn)品種類: 射頻放大器
RoHS: 詳細信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: MCLP-8
類型: General Purpose Amplifiers
技術(shù): Si
工作頻率: 30 MHz to 2.7 GHz
P1dB - 壓縮點: 25.7 dBm
增益: 12.7 dB
工作電源電壓: 11 V
NF—噪聲系數(shù): 5.4 dB
OIP3 - 三階截點: 39.4 dBm
工作電源電流: 350 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: PHA
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: Mini-Circuits
通道數(shù)量: 1 Channel
輸入返回損失: 14.9 dB
隔離分貝: 23 dB
Pd-功率耗散: 5.8 W
產(chǎn)品類型: RF Amplifier
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
測試頻率: 2.7 GHz
單位重量: 715.250 mg
EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。
該器件采用半橋配置, EasyDUAL 1B封裝的導(dǎo)通電阻(R DS(on))為11 mΩ,EasyDUAL 2B封裝的導(dǎo)通電阻(R DS(on))為6 mΩ。
升級為高性能AIN后,該1200 V器件適合用于高功率密度應(yīng)用,包括太陽能系統(tǒng)、不間斷電源、輔助逆變器、儲能系統(tǒng)和電動汽車充電樁等。
由于DCB材料的熱導(dǎo)率更高,結(jié)到散熱器的熱阻(R thJH)最多可以降低40%。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
碳化硅(SiC)二極管產(chǎn)品組合進行擴充,新增1700 V級產(chǎn)品。
這些產(chǎn)品為電力電子系統(tǒng)設(shè)計人員提供了多種性能優(yōu)勢,包括接近于零的反向恢復(fù)電流、高浪涌保護能力和175°C的最大工作結(jié)溫,因此它們非常適合需要提高效率、可靠性和簡化熱管理的應(yīng)用。
LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二極管 采用TO-247-2L封裝,可選擇額定電流(10A、25A或50A)。
這些產(chǎn)品可支持設(shè)計出轉(zhuǎn)換器中響應(yīng)更快的開關(guān)功率電子設(shè)備,然后可以在相同的輸出功率下讓外形尺寸更加緊湊,或者在相同的體積下提供更高的功率。
制造商: Mini-Circuits
產(chǎn)品種類: 射頻放大器
RoHS: 詳細信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: MCLP-8
類型: General Purpose Amplifiers
技術(shù): Si
工作頻率: 30 MHz to 2.7 GHz
P1dB - 壓縮點: 25.7 dBm
增益: 12.7 dB
工作電源電壓: 11 V
NF—噪聲系數(shù): 5.4 dB
OIP3 - 三階截點: 39.4 dBm
工作電源電流: 350 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: PHA
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: Mini-Circuits
通道數(shù)量: 1 Channel
輸入返回損失: 14.9 dB
隔離分貝: 23 dB
Pd-功率耗散: 5.8 W
產(chǎn)品類型: RF Amplifier
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
測試頻率: 2.7 GHz
單位重量: 715.250 mg
EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。
該器件采用半橋配置, EasyDUAL 1B封裝的導(dǎo)通電阻(R DS(on))為11 mΩ,EasyDUAL 2B封裝的導(dǎo)通電阻(R DS(on))為6 mΩ。
升級為高性能AIN后,該1200 V器件適合用于高功率密度應(yīng)用,包括太陽能系統(tǒng)、不間斷電源、輔助逆變器、儲能系統(tǒng)和電動汽車充電樁等。
由于DCB材料的熱導(dǎo)率更高,結(jié)到散熱器的熱阻(R thJH)最多可以降低40%。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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