當(dāng)一個設(shè)備的接地線上電壓較大時這個電壓驅(qū)動了地環(huán)路電流
發(fā)布時間:2021/8/31 0:32:59 訪問次數(shù):144
隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。
而對于先進(jìn)DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
領(lǐng)先DRAM制造商幾乎所有已商業(yè)化的DRAM產(chǎn)品都存在AA形狀扭曲。除中心線不穩(wěn)定以外，這種扭曲還體現(xiàn)在切割區(qū)域周邊的關(guān)鍵尺寸差異
當(dāng)一個設(shè)備的接地線上電壓較大時這個電壓驅(qū)動了地環(huán)路電流,它通常由兩個原因產(chǎn)生.
由于RDC是ρ（電阻率）、S（橫截面積）、L（長度）這三個因素決定的。
ρ材料的電阻率一般導(dǎo)線制作出來就已經(jīng)固定了，銅的電阻率為1。所以在直流電中影響電阻的阻值就是導(dǎo)線的橫截面積和導(dǎo)線的長度。
決定感量的因數(shù)主要是導(dǎo)線的長度和導(dǎo)線的直徑。因此決定導(dǎo)線的阻抗的因素我們也知道了，所以在電路中各個地方的地阻抗的不一致就是以上的因素所決定的。
這個地線電壓的形成是由于作為地的導(dǎo)體上流過了較大的電流，電流在導(dǎo)體阻抗上形成電壓。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。
而對于先進(jìn)DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
領(lǐng)先DRAM制造商幾乎所有已商業(yè)化的DRAM產(chǎn)品都存在AA形狀扭曲。除中心線不穩(wěn)定以外，這種扭曲還體現(xiàn)在切割區(qū)域周邊的關(guān)鍵尺寸差異
當(dāng)一個設(shè)備的接地線上電壓較大時這個電壓驅(qū)動了地環(huán)路電流,它通常由兩個原因產(chǎn)生.
由于RDC是ρ（電阻率）、S（橫截面積）、L（長度）這三個因素決定的。
ρ材料的電阻率一般導(dǎo)線制作出來就已經(jīng)固定了，銅的電阻率為1。所以在直流電中影響電阻的阻值就是導(dǎo)線的橫截面積和導(dǎo)線的長度。
決定感量的因數(shù)主要是導(dǎo)線的長度和導(dǎo)線的直徑。因此決定導(dǎo)線的阻抗的因素我們也知道了，所以在電路中各個地方的地阻抗的不一致就是以上的因素所決定的。
這個地線電壓的形成是由于作為地的導(dǎo)體上流過了較大的電流，電流在導(dǎo)體阻抗上形成電壓。
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