ESD保護(hù)反平行的集電極源二極管和三端雙向可控硅開關(guān)元件
發(fā)布時(shí)間:2021/10/15 12:25:03 訪問次數(shù):237
為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達(dá) 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。
連同面向 65W 至 400W 應(yīng)用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，這兩款新產(chǎn)品為設(shè)計(jì)開關(guān)式電源、充電器、適配器、高壓功率因數(shù)校正 (PFC) 和 DC/DC 變換器的工程師選擇合適的氮化鎵 (GaN) 器件和驅(qū)動(dòng)解決方案提供了更多的靈活性。
意法半導(dǎo)體的 MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術(shù)替代普通硅基MOSFET的發(fā)展進(jìn)程。
由于集成了ESD保護(hù)，反平行的集電極源二極管和三端雙向可控硅開關(guān)元件，VK05CFL節(jié)省了成本，空間和設(shè)計(jì)時(shí)間。
因?yàn)閂K05CFL的工作頻率由外接電容來確定，不需要可飽和的變壓器。
此外，點(diǎn)火頻率，因?yàn)橛韶?fù)載決定，獨(dú)立于工作頻率。用外接幾個(gè)低壓元件還能增加預(yù)熱功能。由于在預(yù)熱電路中不需要用正溫度系數(shù)的電阻或高壓電容，VK05CFL增加了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
這款I(lǐng)PM 具有出色并且簡單易用的控制系統(tǒng)，其中低邊發(fā)射極的引腳可用于相電流監(jiān)控。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達(dá) 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。
連同面向 65W 至 400W 應(yīng)用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，這兩款新產(chǎn)品為設(shè)計(jì)開關(guān)式電源、充電器、適配器、高壓功率因數(shù)校正 (PFC) 和 DC/DC 變換器的工程師選擇合適的氮化鎵 (GaN) 器件和驅(qū)動(dòng)解決方案提供了更多的靈活性。
意法半導(dǎo)體的 MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術(shù)替代普通硅基MOSFET的發(fā)展進(jìn)程。
由于集成了ESD保護(hù)，反平行的集電極源二極管和三端雙向可控硅開關(guān)元件，VK05CFL節(jié)省了成本，空間和設(shè)計(jì)時(shí)間。
因?yàn)閂K05CFL的工作頻率由外接電容來確定，不需要可飽和的變壓器。
此外，點(diǎn)火頻率，因?yàn)橛韶?fù)載決定，獨(dú)立于工作頻率。用外接幾個(gè)低壓元件還能增加預(yù)熱功能。由于在預(yù)熱電路中不需要用正溫度系數(shù)的電阻或高壓電容，VK05CFL增加了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
這款I(lǐng)PM 具有出色并且簡單易用的控制系統(tǒng)，其中低邊發(fā)射極的引腳可用于相電流監(jiān)控。
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