0.6umCMOS工藝多個波束成形器IC進行同步和異步控制
發(fā)布時間:2021/11/11 13:10:48 訪問次數(shù):404
1M位MRAM存儲器能消除電子設(shè)備中共同問題，如計算機和手機的上電慢，數(shù)據(jù)遺失，裝載數(shù)據(jù)長時間等待，電池壽命短等。MRAM設(shè)計成允許所有的程序和數(shù)據(jù)保持在局部的存儲器，即使在電源關(guān)斷時。它也能期望消除手機開機時的延時。
用一個晶體管(1T)和一個磁隧道結(jié)(MTJ)組成的1M位MRAM，其讀寫周期小于50ns。
64K位X16位存儲器的設(shè)計是根據(jù)0.6umCMOS工藝，在200mm襯底用銅互連來制造。在銅互連導線上的磁性材料覆層結(jié)構(gòu)能減少寫入程序所需功率四倍。
ArraySense技術(shù)具有全面的片上傳感器網(wǎng)絡(luò)，能夠讓用戶在陣列工作時監(jiān)測IC性能，并能實時做出關(guān)鍵修正。RapidBeam先進的數(shù)字控制技術(shù)可以同時針對多個波束成形器IC進行同步和異步控制，實現(xiàn)超快速波束控制操作。
裸片封裝工藝允許在電路板上做更為有效的熱管理，可以從IC背面改善散熱。
此外,瑞薩設(shè)計的封裝引腳簡化了電路板設(shè)計,降低了設(shè)計難度和風險。較低復雜度的PCB設(shè)計會采用盡可能少的板層數(shù),這不但可以節(jié)省電路板成本，也可加快產(chǎn)品上市速度。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
1M位MRAM存儲器能消除電子設(shè)備中共同問題，如計算機和手機的上電慢，數(shù)據(jù)遺失，裝載數(shù)據(jù)長時間等待，電池壽命短等。MRAM設(shè)計成允許所有的程序和數(shù)據(jù)保持在局部的存儲器，即使在電源關(guān)斷時。它也能期望消除手機開機時的延時。
用一個晶體管(1T)和一個磁隧道結(jié)(MTJ)組成的1M位MRAM，其讀寫周期小于50ns。
64K位X16位存儲器的設(shè)計是根據(jù)0.6umCMOS工藝，在200mm襯底用銅互連來制造。在銅互連導線上的磁性材料覆層結(jié)構(gòu)能減少寫入程序所需功率四倍。
ArraySense技術(shù)具有全面的片上傳感器網(wǎng)絡(luò)，能夠讓用戶在陣列工作時監(jiān)測IC性能，并能實時做出關(guān)鍵修正。RapidBeam先進的數(shù)字控制技術(shù)可以同時針對多個波束成形器IC進行同步和異步控制，實現(xiàn)超快速波束控制操作。
裸片封裝工藝允許在電路板上做更為有效的熱管理，可以從IC背面改善散熱。
此外,瑞薩設(shè)計的封裝引腳簡化了電路板設(shè)計,降低了設(shè)計難度和風險。較低復雜度的PCB設(shè)計會采用盡可能少的板層數(shù),這不但可以節(jié)省電路板成本，也可加快產(chǎn)品上市速度。
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