新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路，進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了納微氮化鎵功率芯片技術(shù)的節(jié)能和快充優(yōu)勢。

納微半導(dǎo)體的GaNFast™氮化鎵功率芯片集成了氮化鎵器件和驅(qū)動以及保護(hù)和控制功能，提供簡單、小型、快速和高效的性能表現(xiàn)。

GaNSense技術(shù)集成了對系統(tǒng)參數(shù)的實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確和快速感應(yīng)，包括電流和溫度的感知。

外接補(bǔ)償引腳允許在寬輸入和輸出電壓范圍內(nèi)有最佳的回路帶寬,可編開關(guān)頻率在300kHz和2MHz.SYNC/MODE引腳允許和外接時(shí)鐘同步.

采用熱增強(qiáng)12引線4mmx3mm DFN封裝.主要用在工業(yè)和汽車領(lǐng)域,通信,醫(yī)療診斷設(shè)備和手持電子設(shè)備.

也能用來選擇BURST 或PULSE SKIP工作模式和廣譜頻率調(diào)制,以得到低的EMI.BIAS引腳能用作第二個(gè)輸入,給INTVCC穩(wěn)壓器供電.

其它特性包括頻率折返和可編軟起動,以控制起動時(shí)的電感電流.

專有的3D HAL像素單元技術(shù)讓客戶可以測量磁場分量，從而實(shí)現(xiàn)線性位置測量和上至360°的旋轉(zhuǎn)位置測量以及軸上和離軸測量。通過對非易失性存儲器進(jìn)行編程，可以根據(jù)磁路調(diào)整諸如增益和補(bǔ)償、參考位置等主要特性。

其磁場幅度范圍為20 mT至130 mT，低至5 mT時(shí)精度降低。

HAR 3927采用微型八引腳SOIC8封裝。單一封裝的冗余傳感器解決方案的優(yōu)點(diǎn)是減小了PCB尺寸和焊點(diǎn)，從而降低系統(tǒng)成本并增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

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