每個HAR 3927傳感器包含兩個獨立運行的堆疊芯片。芯片間達到最小移位且被相同的磁力線穿透。HAR 3927使用的磁鐵要比雙芯片并排的方案小得多。

該傳感器具有兩種不同的輸出格式和多達33個標定點的輸出信號（17個可變或33個固定標定點）的線性化模塊。

HAR 3927的多種配置選項讓客戶在開發(fā)過程中實現(xiàn)更高的靈活性，一個傳感器可用于多種應用，無需再認證，節(jié)約了成本和工作量。

Vishay IHLP電感器封裝采用100 %無鉛（Pb）一體成型屏蔽復合結構，噪聲降至非常低的水平,具有高抗熱沖擊、耐潮濕、抗機械振動能力，可無飽和處理高瞬態(tài)變電流尖峰。

以小型SOIC8 SMD封裝為汽車和工業(yè)高安全要求應用提供卓越的角度測量和冗余功能。

氮化鎵（GaN）是下一代半導體材料，氮化鎵器件的開關速度比傳統(tǒng)的硅器件快20倍，在尺寸和重量減半的情況下，可實現(xiàn)高達3倍的功率和3倍的充電速度。

這項技術實現(xiàn)了正在申請專利的無損耗電流感應能力。與前幾代產(chǎn)品相比，GaNSense 技術可額外提高10%的節(jié)能效果，并能夠進一步減少外部元件數(shù)量，縮小系統(tǒng)的尺寸。

此外，如果氮化鎵功率芯片識別到有潛在的系統(tǒng)危險，該芯片將迅速過渡到逐個周期的關斷狀態(tài)，以保護器件和周圍系統(tǒng)。