繞組尺寸大小與嵌線質(zhì)量及電動(dòng)機(jī)性能多個(gè)固件模塊系統(tǒng)
發(fā)布時(shí)間:2022/3/16 17:46:19 訪問次數(shù):191
MCU、FPGA、CPU等。在擁有多個(gè)固件模塊的系統(tǒng)中,只需要破解其中一個(gè)模塊就會(huì)獲得對整個(gè)系統(tǒng)的控制。黑客無須越過整個(gè)防火墻,而是攻擊系統(tǒng)中最薄弱的環(huán)節(jié)來獲得控制權(quán)。不安全的供應(yīng)鏈恰恰這個(gè)最薄弱的環(huán)節(jié)。
但是,預(yù)計(jì)將來會(huì)受到最高水平的勒索軟件攻擊。在制造階段保護(hù)部件對于保護(hù)網(wǎng)絡(luò)而言至關(guān)重要。
通過由目標(biāo)客戶開發(fā)、簽名和加密的經(jīng)過編程的配置位流,在易受攻擊的環(huán)境中建立信任。此外,部件在離開工廠時(shí)會(huì)被鎖定,如果沒有可用的解鎖密鑰來配置這些資產(chǎn),黑客則無法對其進(jìn)行讀取,寫入或編程操作。
應(yīng)做好銘牌數(shù)據(jù)、槽數(shù)、繞組節(jié)距、連接方式、繞組只數(shù)、每槽導(dǎo)線匝數(shù)、導(dǎo)線并繞根數(shù)、導(dǎo)線直徑及繞組形狀和周長等記錄。
拆除繞組后,應(yīng)修正槽形,清除槽內(nèi)殘留絕緣物。
繞組的繞制繞組尺寸的大小與嵌線質(zhì)量及電動(dòng)機(jī)性能好壞有著密切的關(guān)系,而繞組尺寸的大小完全是由繞線模的尺寸來決定的。
產(chǎn)品生命周期中的制造和生產(chǎn)階段目前經(jīng)歷了中等水平的勒索軟件攻擊。
100V、具有低Iq、雙路、兩相的同步降壓控制器(LTC7890)經(jīng)過全面優(yōu)化,可驅(qū)動(dòng)EPC eGaN FET,并集成了一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器和智能自舉二極管。經(jīng)過優(yōu)化的死區(qū)時(shí)間或可編程死區(qū)時(shí)間接近零,開關(guān)頻率最高可達(dá)3MHz。5uA的靜態(tài)電流(VIN=48V、VOUT=5V、僅CH1)可實(shí)現(xiàn)非常低的待機(jī)功耗和卓越的輕負(fù)載效率。
eGaN®FET具備快速開關(guān)、高效率和小尺寸等優(yōu)勢,可以滿足這些前沿應(yīng)用對高功率密度的嚴(yán)格要求。
氮化鎵場效應(yīng)晶體管具備超低開關(guān)損耗的優(yōu)勢,使它能夠在2 MHz以上的頻率工作,并配以新型模擬控制器,讓客戶可實(shí)現(xiàn)2MHz工作頻率以上的整個(gè)生態(tài)系統(tǒng)。
MCU、FPGA、CPU等。在擁有多個(gè)固件模塊的系統(tǒng)中,只需要破解其中一個(gè)模塊就會(huì)獲得對整個(gè)系統(tǒng)的控制。黑客無須越過整個(gè)防火墻,而是攻擊系統(tǒng)中最薄弱的環(huán)節(jié)來獲得控制權(quán)。不安全的供應(yīng)鏈恰恰這個(gè)最薄弱的環(huán)節(jié)。
但是,預(yù)計(jì)將來會(huì)受到最高水平的勒索軟件攻擊。在制造階段保護(hù)部件對于保護(hù)網(wǎng)絡(luò)而言至關(guān)重要。
通過由目標(biāo)客戶開發(fā)、簽名和加密的經(jīng)過編程的配置位流,在易受攻擊的環(huán)境中建立信任。此外,部件在離開工廠時(shí)會(huì)被鎖定,如果沒有可用的解鎖密鑰來配置這些資產(chǎn),黑客則無法對其進(jìn)行讀取,寫入或編程操作。
應(yīng)做好銘牌數(shù)據(jù)、槽數(shù)、繞組節(jié)距、連接方式、繞組只數(shù)、每槽導(dǎo)線匝數(shù)、導(dǎo)線并繞根數(shù)、導(dǎo)線直徑及繞組形狀和周長等記錄。
拆除繞組后,應(yīng)修正槽形,清除槽內(nèi)殘留絕緣物。
繞組的繞制繞組尺寸的大小與嵌線質(zhì)量及電動(dòng)機(jī)性能好壞有著密切的關(guān)系,而繞組尺寸的大小完全是由繞線模的尺寸來決定的。
產(chǎn)品生命周期中的制造和生產(chǎn)階段目前經(jīng)歷了中等水平的勒索軟件攻擊。
100V、具有低Iq、雙路、兩相的同步降壓控制器(LTC7890)經(jīng)過全面優(yōu)化,可驅(qū)動(dòng)EPC eGaN FET,并集成了一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器和智能自舉二極管。經(jīng)過優(yōu)化的死區(qū)時(shí)間或可編程死區(qū)時(shí)間接近零,開關(guān)頻率最高可達(dá)3MHz。5uA的靜態(tài)電流(VIN=48V、VOUT=5V、僅CH1)可實(shí)現(xiàn)非常低的待機(jī)功耗和卓越的輕負(fù)載效率。
eGaN®FET具備快速開關(guān)、高效率和小尺寸等優(yōu)勢,可以滿足這些前沿應(yīng)用對高功率密度的嚴(yán)格要求。
氮化鎵場效應(yīng)晶體管具備超低開關(guān)損耗的優(yōu)勢,使它能夠在2 MHz以上的頻率工作,并配以新型模擬控制器,讓客戶可實(shí)現(xiàn)2MHz工作頻率以上的整個(gè)生態(tài)系統(tǒng)。
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