漏電電流傳輸反應(yīng)和電源波紋抑制系數(shù)(PSSRR)高的特點
發(fā)布時間:2022/7/21 20:10:24 訪問次數(shù):233
一根轉(zhuǎn)軸帶動兩個電容器的動片,兩個電容器的動片同步轉(zhuǎn)動,雙聯(lián)可變電容器的實物外形,四聯(lián)可變電容器的內(nèi)部包含有四個單聯(lián)可同步調(diào)整的電容器,四聯(lián)可變電容器的實物外形。
四聯(lián)可變電容器的實物外形,通常,對于單聯(lián)可變電容器、雙聯(lián)可變電容器和四聯(lián)可變電容器的識別可以通過引腳和背部補(bǔ)償電容的數(shù)量來判別。
以雙聯(lián)電容器為例,雙聯(lián)可變電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu),雙聯(lián)可變電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu),雙聯(lián)可變電容器中的兩個可變電容器都各自附帶有一個補(bǔ)償電容。該補(bǔ)償電容可以單獨微調(diào)。
對噪音敏感的RF，通信和移動設(shè)計，微瓦功率(MicroPower) LDO器件有最低的噪音，快的傳輸反應(yīng)和電源波紋抑制系數(shù)(PSSRR)高的特點。AAT3215在全額工作時，壓降低，140mV ；靜態(tài)電流低，95uA；電源波紋抑制系數(shù)(PSSRR)，在1kHz為70dB，10kHz為50dB。
超高速(UHS)三輸入端門系列產(chǎn)品，以增加可用板的空間和改善功耗。
產(chǎn)品包括五種門功能：NAND, AND, NOR, OR和 X-OR。所有的產(chǎn)品都是6腳SC70封裝的，能用在空間嚴(yán)格受限制的手提設(shè)備如手機(jī)，筆記本電腦，PDA和數(shù)碼相機(jī)。
用高速CMOS設(shè)計，TinyLogic UHS三輸入門電路在1.65V到5.5V電壓內(nèi)，提供和LCX (低壓CMOS)相似的性能，包括低于4ns的傳輸時延，2.0-uA靜態(tài)電流和5V的輸入和輸出。系列產(chǎn)品是NC7SZ10三輸入與非門，NC7SZ11三輸入與門，NC7S27或非門，NC7SZ332或門和NC7SZ386異或門。
因此,常用漏電電流表示電解電容器的絕緣性能。可變電容器按照結(jié)構(gòu)的不同又可分為微調(diào)可變電容器、單聯(lián)可變電容器、雙聯(lián)可變電容器和四聯(lián)可變電容器。
一根轉(zhuǎn)軸帶動兩個電容器的動片,兩個電容器的動片同步轉(zhuǎn)動,雙聯(lián)可變電容器的實物外形,四聯(lián)可變電容器的內(nèi)部包含有四個單聯(lián)可同步調(diào)整的電容器,四聯(lián)可變電容器的實物外形。
四聯(lián)可變電容器的實物外形,通常,對于單聯(lián)可變電容器、雙聯(lián)可變電容器和四聯(lián)可變電容器的識別可以通過引腳和背部補(bǔ)償電容的數(shù)量來判別。
以雙聯(lián)電容器為例,雙聯(lián)可變電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu),雙聯(lián)可變電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu),雙聯(lián)可變電容器中的兩個可變電容器都各自附帶有一個補(bǔ)償電容。該補(bǔ)償電容可以單獨微調(diào)。
對噪音敏感的RF，通信和移動設(shè)計，微瓦功率(MicroPower) LDO器件有最低的噪音，快的傳輸反應(yīng)和電源波紋抑制系數(shù)(PSSRR)高的特點。AAT3215在全額工作時，壓降低，140mV ；靜態(tài)電流低，95uA；電源波紋抑制系數(shù)(PSSRR)，在1kHz為70dB，10kHz為50dB。
超高速(UHS)三輸入端門系列產(chǎn)品，以增加可用板的空間和改善功耗。
產(chǎn)品包括五種門功能：NAND, AND, NOR, OR和 X-OR。所有的產(chǎn)品都是6腳SC70封裝的，能用在空間嚴(yán)格受限制的手提設(shè)備如手機(jī)，筆記本電腦，PDA和數(shù)碼相機(jī)。
用高速CMOS設(shè)計，TinyLogic UHS三輸入門電路在1.65V到5.5V電壓內(nèi)，提供和LCX (低壓CMOS)相似的性能，包括低于4ns的傳輸時延，2.0-uA靜態(tài)電流和5V的輸入和輸出。系列產(chǎn)品是NC7SZ10三輸入與非門，NC7SZ11三輸入與門，NC7S27或非門，NC7SZ332或門和NC7SZ386異或門。
因此,常用漏電電流表示電解電容器的絕緣性能。可變電容器按照結(jié)構(gòu)的不同又可分為微調(diào)可變電容器、單聯(lián)可變電容器、雙聯(lián)可變電容器和四聯(lián)可變電容器。
相關(guān)技術(shù)資料- 1-10分立器件&無源元件選型及工作原理
- 1-10新一代“超越EUV”光刻系統(tǒng)參數(shù)封裝應(yīng)用
- 1-10最新品BAT激光器制造工藝設(shè)計
- 1-10新款汽車SoC產(chǎn)品Malibou Lake
- 1-10新芯片品類FPCU（現(xiàn)場可編程控制單元）
- 1-10電動汽車動力總成系統(tǒng)和區(qū)域控制器芯片
- 1-9PCB嵌入式功率芯片封裝工作原理
- 1-9莫仕儲能連接器技術(shù)結(jié)構(gòu)應(yīng)用詳情
- 1-9新款 Snapdragon X 芯片
- 1-9Intel 18A（1.8nm級）工藝技術(shù)探究
- 1-9業(yè)界首款STM32配套無線物聯(lián)網(wǎng)模塊
- 1-92025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大熱門看點
熱門點擊
- 2X30W雙聲道/50W單聲道D類音頻功放芯
- 單節(jié)鋰離子或多節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫金屬電池應(yīng)用
- PowerFlex 755T變頻器支持以菊花
- 貼片電感器的參數(shù)多數(shù)字標(biāo)注法和數(shù)字中間加字母
- 在SCR陽極電壓前觸發(fā)信號使發(fā)電機(jī)不超載保持
- LNA無需外部隔直流電容串聯(lián)和并聯(lián)等效方法逐
- 兩側(cè)主交流匯流條無電時HMG啟動有效管理開關(guān)
- 數(shù)字低壓差分信號(LVDS)輸出傳感器還擁有
- 連接自由軟管-3dB的插入損耗下實現(xiàn)高達(dá)10
- 漏電電流傳輸反應(yīng)和電源波紋抑制系數(shù)(PSSR
推薦技術(shù)資料
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門和
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門和比賽最常用的控制方式，E48S... [詳細(xì)]
- 分立器件&無源元件選型及工作原
- 新一代“超越EUV”光刻系統(tǒng)參
- 最新品BAT激光器制造工藝設(shè)計
- 新款汽車SoC產(chǎn)品Malibo
- 新芯片品類FPCU（現(xiàn)場可編程
- 電動汽車動力總成系統(tǒng)̴
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
