在單芯片上集成兩個(gè)完全匹配的功率放大器 (power amplifier, PA)。這種架構(gòu)對(duì)外形尺寸和功耗進(jìn)行了優(yōu)化，使制造商能夠支持計(jì)算和嵌入式系統(tǒng)中的無線多媒體應(yīng)用，同時(shí)滿足消費(fèi)者在微型化、電池壽命和低成本方面越來越嚴(yán)苛的要求。

兩個(gè)2.4GHz完全匹配功放的RF前端解決方案。它還在3mmx3mm的微型封裝中整合了諧波濾波器、輸入輸出匹配電路，并為每一個(gè)發(fā)射鏈路配備了一個(gè)功率檢測器。此外，相比MIMO解決方案的兩個(gè)不匹配PA，這種高集成度還能夠降低80%的外部材料清單，節(jié)省約0.25美元的材料清單成本。

入門級(jí)計(jì)算市場包括針對(duì)企業(yè)和學(xué)生的臺(tái)式電腦替代產(chǎn)品，是規(guī)模最大、增長速度最快的計(jì)算市場領(lǐng)域。通過SE2566U，我們提供了一種無與倫比的解決方案，不但具有最高的功能集成度，同時(shí)滿足這一領(lǐng)域?qū)π〕叽纭⒏L電池壽命及價(jià)格競爭力的需求。

當(dāng)電源電壓較低時(shí),雙向蝕發(fā)二極臂里高阻狀戀麗截止,萬用表指針指示OmA。

當(dāng)電源袖出電壓為80V時(shí),雙向觸發(fā)二極督被擊穿,萬用表的指針突然擺動(dòng),此時(shí)即為擊穿電壓(轉(zhuǎn)折電壓),將該結(jié)果與技術(shù)規(guī)格中的值對(duì)照。者對(duì)照結(jié)果符合技術(shù)要求,列說明雙向觸發(fā)二極臀正常。

將雙向觸發(fā)二極管接入電路中,通過檢測電路的電壓值可判斷雙向觸發(fā)二極管有無開路清況,雙向觸發(fā)二極管開路狀態(tài)的檢測判別方法.

二極管的引腳極性可以根據(jù)二極管上的標(biāo)識(shí)信息識(shí)別,對(duì)于一些沒有明顯標(biāo)識(shí)信息的二極管,可以使用萬用表的歐姆擋進(jìn)行簡單的檢測判別.

當(dāng)便攜式電子設(shè)備變得越來越小時(shí)，元件的大小變得至關(guān)重要。憑借超小的占位面積，Vishay的SiB800EDK比采用2mm×2mm封裝的器件小36%，同時(shí)具有0.75mm的超薄厚度。Vishay此番將兩個(gè)元件整合到一個(gè)封裝中不僅節(jié)省了空間，而且包含溝槽肖特基二極管可保持較低的正向電壓，從而降低了電平位移應(yīng)用中的壓降。

SiB800EDK具有0.960Ω（1.5V VGS 時(shí)）～0.225Ω（4.5V VGS 時(shí)）的低導(dǎo)通電阻范圍。1.5V時(shí)的低導(dǎo)通電阻額定值可使MOSFET與低電平時(shí)的信號(hào)一同使用。