SiP4613A/B還具有欠壓鎖定和熱關(guān)斷保護(hù)功能。通過在芯片結(jié)溫達(dá)到+165°C時(shí)關(guān)閉電源開關(guān)，并在此溫度降至+145°C以下前一直使電源開關(guān)保持關(guān)閉狀態(tài)，過溫保護(hù)電路可防止熱失控故障。

選擇打開及關(guān)閉各種系統(tǒng)功能且可在各種電源之間進(jìn)行切換的電源開關(guān)有兩種版本：SiP4613A具有主動(dòng)低啟動(dòng)輸入功能，而SiP4613B具有主動(dòng)高啟動(dòng)輸入功能。該器件采用無鉛（Pb）6引腳PowerPAK®TSC75-6封裝，并且可在–40°C～+85°C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。

不同尺寸規(guī)格的平板電視，整機(jī)消耗功率水平都參差不齊，以46/47英寸液晶電視最為突出。測(cè)試中，整機(jī)消耗最高功率為289瓦，與最低功率相差118瓦，差幅達(dá)到40%。

兼容性：與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口（SPI）命令集兼容。

最大限度增強(qiáng)功能：提供所需的密度，以最大限度提高系統(tǒng)功能，降低物料成本。用戶自建的內(nèi)容直接存儲(chǔ)到設(shè)備上，無需使用單獨(dú)的NAND芯片。

速度更快：串行NAND閃存的處理速度為2.64 MB/s，寫入速度比NOR閃存（不到0.5MB/s）更快。

簡(jiǎn)約的設(shè)計(jì)：去掉了外部卡插槽，因此降低了物料成本；并利用芯片上的糾錯(cuò)碼（ECC）來解決出廠原始NAND閃存伴生的復(fù)雜問題。

更安全：提供了只讀區(qū)和保護(hù)性的塊鎖，以避免設(shè)備上存儲(chǔ)的內(nèi)容遭到擅自更改。

用于3G femtocell基站的ADF4602-1收發(fā)器，支持面向家庭與辦公無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的UMTS（通用移動(dòng)通信系統(tǒng)）無線接口標(biāo)準(zhǔn)。

這款高集成度的直接變頻收發(fā)器內(nèi)置頻率合成器、濾波器以及電源管理電路，可與AD9863混合信號(hào)前端及ADL532x和ADL554x驅(qū)動(dòng)放大器系列產(chǎn)品配合使用，構(gòu)建完整的UMTS無線電系統(tǒng)。

與同類器件相比，整個(gè)設(shè)計(jì)的功耗降低了30%，EVM（誤差向量幅度）減小了50%，并能改善多頻段3G femtocell基站的數(shù)據(jù)速率與系統(tǒng)保真度。