750V初級(jí)PowiGaN功率開(kāi)關(guān)和安全指標(biāo)反饋進(jìn)行PCB的調(diào)試
發(fā)布時(shí)間:2022/9/13 22:32:42 訪問(wèn)次數(shù):106
InnoSwitch4-CZ系列產(chǎn)品是有源箝位集成電路,能大大改善反激功率轉(zhuǎn)換器的效率,特別是需要緊湊形體系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換器.
InnoSwitch4-CZ系列在單個(gè)IC中集成了初級(jí)和次級(jí)控制器, 750V初級(jí)PowiGaN功率開(kāi)關(guān)和安全指標(biāo)反饋((FluxLink). InnoSwitch4-CZ和ClampZero組合大大地降低了系統(tǒng)和初級(jí)開(kāi)關(guān)損耗,允許具有極高的功率密度.
與其他類型的傳感器相比，攝像頭不僅視圖直觀且價(jià)格相對(duì)便宜。這一優(yōu)勢(shì)使得原始設(shè)備制造商在沒(méi)有太大成本壓力下將更好的自動(dòng)駕駛功能引入到中檔甚至低端車(chē)輛中。
InnoSwitch4-CZ還集成多種保護(hù)特性,包括輸出過(guò)壓和過(guò)流限制以及超溫關(guān)斷.器件支持鎖住和自動(dòng)重起保護(hù)模式,特別需要諸如充電器,適配器,消費(fèi)類電子和工業(yè)系統(tǒng)的應(yīng)用.器件滿足EcoSmart™能量效率,效率高達(dá)95%,無(wú)負(fù)載和包括線路檢測(cè)的損耗小于30mW. 無(wú)鹵素RoHS兼容.主要用在高達(dá)220W的高密度反激設(shè)計(jì),高效率CV/CC功率電源,以及高效率USB PD適配器.
可以通過(guò)IEC 60384-14:2013/AMD1:2016標(biāo)準(zhǔn)的THB測(cè)試（III級(jí)測(cè)試 B），測(cè)試條件是：85°C/85%RH/1000H/加額定電壓，
新系列電容通過(guò)IEC 61071認(rèn)證，預(yù)期使用壽命≥100,000 小時(shí)，故障率低至5 FIT。因?yàn)閮?nèi)部的安全裝置設(shè)計(jì)， 新系列電容滿足最高的安全標(biāo)準(zhǔn)（10，000AFC）并且通過(guò)UL 810和CE認(rèn)證。此外，其外殼和灌封材料的阻燃等級(jí)為UL 94 V-0。
在輸出檢測(cè)過(guò)壓時(shí)，芯片在PWM 調(diào)光100%時(shí)候，F(xiàn)PWM/FAULT管腳輸出60%占空比PWM波。SWO的輸出在檢測(cè)到過(guò)壓時(shí)關(guān)閉，在tfault結(jié)束以及故障移除時(shí)，SWO恢復(fù)輸出。
InnoSwitch4-CZ系列產(chǎn)品是有源箝位集成電路,能大大改善反激功率轉(zhuǎn)換器的效率,特別是需要緊湊形體系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換器.
InnoSwitch4-CZ系列在單個(gè)IC中集成了初級(jí)和次級(jí)控制器, 750V初級(jí)PowiGaN功率開(kāi)關(guān)和安全指標(biāo)反饋((FluxLink). InnoSwitch4-CZ和ClampZero組合大大地降低了系統(tǒng)和初級(jí)開(kāi)關(guān)損耗,允許具有極高的功率密度.
與其他類型的傳感器相比，攝像頭不僅視圖直觀且價(jià)格相對(duì)便宜。這一優(yōu)勢(shì)使得原始設(shè)備制造商在沒(méi)有太大成本壓力下將更好的自動(dòng)駕駛功能引入到中檔甚至低端車(chē)輛中。
InnoSwitch4-CZ還集成多種保護(hù)特性,包括輸出過(guò)壓和過(guò)流限制以及超溫關(guān)斷.器件支持鎖住和自動(dòng)重起保護(hù)模式,特別需要諸如充電器,適配器,消費(fèi)類電子和工業(yè)系統(tǒng)的應(yīng)用.器件滿足EcoSmart™能量效率,效率高達(dá)95%,無(wú)負(fù)載和包括線路檢測(cè)的損耗小于30mW. 無(wú)鹵素RoHS兼容.主要用在高達(dá)220W的高密度反激設(shè)計(jì),高效率CV/CC功率電源,以及高效率USB PD適配器.
可以通過(guò)IEC 60384-14:2013/AMD1:2016標(biāo)準(zhǔn)的THB測(cè)試（III級(jí)測(cè)試 B），測(cè)試條件是：85°C/85%RH/1000H/加額定電壓，
新系列電容通過(guò)IEC 61071認(rèn)證，預(yù)期使用壽命≥100,000 小時(shí)，故障率低至5 FIT。因?yàn)閮?nèi)部的安全裝置設(shè)計(jì)， 新系列電容滿足最高的安全標(biāo)準(zhǔn)（10，000AFC）并且通過(guò)UL 810和CE認(rèn)證。此外，其外殼和灌封材料的阻燃等級(jí)為UL 94 V-0。
在輸出檢測(cè)過(guò)壓時(shí)，芯片在PWM 調(diào)光100%時(shí)候，F(xiàn)PWM/FAULT管腳輸出60%占空比PWM波。SWO的輸出在檢測(cè)到過(guò)壓時(shí)關(guān)閉，在tfault結(jié)束以及故障移除時(shí)，SWO恢復(fù)輸出。
相關(guān)技術(shù)資料- 1-7車(chē)載顯示技術(shù)AR-HUD功能技術(shù)應(yīng)用詳情
- 1-72 納米工藝 A18 Pro 芯片參數(shù)技術(shù)應(yīng)用探究
- 1-7新一代 HBM3/HBM3e 的前端設(shè)計(jì)
- 1-7NAND FLASH控制器芯片結(jié)構(gòu)應(yīng)用參數(shù)
- 1-7SoC芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
- 1-7嵌入式存儲(chǔ)芯片PPI Nand
- 1-6Nuclei lntelligence(Nl)系列優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)研究
- 1-6RISC-V子系統(tǒng)模式技術(shù)結(jié)構(gòu)參數(shù)應(yīng)用解讀
- 1-6物理量子比特量子芯片Willow結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 1-6MPS電源管理一站式解決方案詳情
- 1-6薄緩沖層AlGaN/GaN外延片器件探究
- 1-62024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件盤(pán)點(diǎn)
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 硬件觸發(fā)功能保證在指定位序列第一次發(fā)生時(shí)就會(huì)
- SAW濾波器平衡不平衡變換和匹配網(wǎng)絡(luò)的分立的
- STN和薄膜超級(jí)扭曲向列萬(wàn)用表指針擺動(dòng)的幅度
- ARM7處理器的AT91CAP7E微控制器的
- 3只紅色LED會(huì)隨著聲音大小而閃動(dòng)實(shí)現(xiàn)聲控L
- 放大器的選擇基于大信號(hào)帶寬和增益帶寬乘積的規(guī)
- 檢測(cè)電磁四通閥線圈40MHz速度進(jìn)行4字節(jié)B
- 1.1V/us的壓擺率以及兩倍電源電壓的輸入
- LTC3626在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間里通過(guò)同步開(kāi)關(guān)來(lái)
- 手機(jī)內(nèi)置揚(yáng)聲器或立體聲耳機(jī)輸出端口提供濾波功
推薦技術(shù)資料
- 電動(dòng)吸錫烙鐵
- 用12V/2A的電源為電磁閥和泵供電，F(xiàn)QPF9N50... [詳細(xì)]
- 車(chē)載顯示技術(shù)AR
- 2 納米工藝 A18 Pro 芯片參數(shù)技術(shù)應(yīng)
- 新一代 HBM3/HBM3e
- NAND FLASH控制器芯片
- SoC芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)
- 嵌入式存儲(chǔ)芯片PPI Nand
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
