16個通道每秒622兆位的數(shù)據(jù)映射到4條獨立的OC-48通道
發(fā)布時間:2022/9/16 13:28:18 訪問次數(shù):206
低成本、低功率SONET OC-192收發(fā)器,專門用于超短距離(VSR)光纖轉發(fā)器,進一步擴展了其高速背板技術的應用。該新型解決方案可通過單個器件提供4條2.5千兆/秒(Gbps) OC-48通道,從而使電信設備制造商能夠以遠遠低于OC-192串口解決方案的成本成功開發(fā)10-Gbps OC-192轉發(fā)器。
TI新型SLK2504 SONET/SDH收發(fā)器可將16個通道每秒622兆位的數(shù)據(jù)映射到4條獨立的OC-48通道、2條冗余的OC-48通道或1條OC-192通道中。
該器件符合光互聯(lián)論壇(OIF) SFI-4接口標準,并與VSR4-03.0光纖標準兼容。另外,它采用了0.18微米CMOS技術,具有低成本、高效率、高集成度和低功耗等特點。
超緊湊雙極線性RF單元包,可用于雙極線性寬帶放大器,雙極差分放大器,調(diào)諧器中的上變換器,VHF/UHF放大器,中頻(IF)放大器,CATV和其它通信設備。
該器件能降低設計時間,減少元件數(shù)目和板的空間,使工程師能用一個RF單元包來代替包括晶體管,電阻和電容等多個分立元件。
雙極線性RF IC 單元包,有偏壓電路參數(shù)和晶體管。通過優(yōu)化這些電路參數(shù),TAEC的產(chǎn)品能達到更高的工作頻率,最大化信號傳輸和減少功率損失。
它能提供兩組獨立編程的輸出電壓,從5.5V到0.5V可調(diào),允許器件能滿足將來芯片組和外設對亞1V電壓的要求。
為了支持DDR存儲器系統(tǒng),開關1用來產(chǎn)生2.5V電壓,為存儲器芯片供電(VDDQ),開關2提供1.25V浮置外部基準源,支持DDR有源終端的要求。該器件也提供1.25V,3mA緩沖基準(VREF)輸出。
SC1486采用經(jīng)常開態(tài)的控制器,以得到快速響應,降低沖跳電容的要求。通過改變電阻,器件的輸出頻率可在300到600kHz變化,使設計者能滿足效率和輸出濾波器的體積的要求,或選擇一個頻率,減少受其它電路的干擾。
低成本、低功率SONET OC-192收發(fā)器,專門用于超短距離(VSR)光纖轉發(fā)器,進一步擴展了其高速背板技術的應用。該新型解決方案可通過單個器件提供4條2.5千兆/秒(Gbps) OC-48通道,從而使電信設備制造商能夠以遠遠低于OC-192串口解決方案的成本成功開發(fā)10-Gbps OC-192轉發(fā)器。
TI新型SLK2504 SONET/SDH收發(fā)器可將16個通道每秒622兆位的數(shù)據(jù)映射到4條獨立的OC-48通道、2條冗余的OC-48通道或1條OC-192通道中。
該器件符合光互聯(lián)論壇(OIF) SFI-4接口標準,并與VSR4-03.0光纖標準兼容。另外,它采用了0.18微米CMOS技術,具有低成本、高效率、高集成度和低功耗等特點。
超緊湊雙極線性RF單元包,可用于雙極線性寬帶放大器,雙極差分放大器,調(diào)諧器中的上變換器,VHF/UHF放大器,中頻(IF)放大器,CATV和其它通信設備。
該器件能降低設計時間,減少元件數(shù)目和板的空間,使工程師能用一個RF單元包來代替包括晶體管,電阻和電容等多個分立元件。
雙極線性RF IC 單元包,有偏壓電路參數(shù)和晶體管。通過優(yōu)化這些電路參數(shù),TAEC的產(chǎn)品能達到更高的工作頻率,最大化信號傳輸和減少功率損失。
它能提供兩組獨立編程的輸出電壓,從5.5V到0.5V可調(diào),允許器件能滿足將來芯片組和外設對亞1V電壓的要求。
為了支持DDR存儲器系統(tǒng),開關1用來產(chǎn)生2.5V電壓,為存儲器芯片供電(VDDQ),開關2提供1.25V浮置外部基準源,支持DDR有源終端的要求。該器件也提供1.25V,3mA緩沖基準(VREF)輸出。
SC1486采用經(jīng)常開態(tài)的控制器,以得到快速響應,降低沖跳電容的要求。通過改變電阻,器件的輸出頻率可在300到600kHz變化,使設計者能滿足效率和輸出濾波器的體積的要求,或選擇一個頻率,減少受其它電路的干擾。