C166S V2內(nèi)核擴(kuò)展功能和性能和強(qiáng)有力片上外設(shè)子系統(tǒng)和閃存
發(fā)布時間:2022/9/23 1:01:37 訪問次數(shù):187
微控制器XC167CI-16F40F和XC164CS-8F40F,優(yōu)化了工業(yè)驅(qū)動和控制系統(tǒng)中的性能和總成本之間的平衡問題。兩種高集成的微控制器支持Infineon公司的嵌入式閃存程序存儲器和成本效率的馬達(dá)和傳輸控制,高性能電力馬達(dá)驅(qū)動,機(jī)器人以及工業(yè)網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用所需的專用外設(shè)。
16位C166S V2 微控制器系列產(chǎn)品的新成員,把C166S V2內(nèi)核的擴(kuò)展功能和性能和強(qiáng)有力的片上外設(shè)子系統(tǒng)和片上閃存結(jié)合在一起。C167CI-16F40F的結(jié)構(gòu)對高指令吞吐量和對外部中斷的最小響應(yīng)時間進(jìn)行優(yōu)化。集成了智能的外設(shè)系統(tǒng)降低了CPU的干擾。
結(jié)構(gòu)的靈活性支持不同領(lǐng)域比如汽車電子,工業(yè)控制和數(shù)據(jù)通信的應(yīng)用要求。
系列中的每一器件都包含一個片上600 MHz振蕩器,以允許通過外部電阻接地來進(jìn)行頻率和幅度控制。通過向外部電阻施加一個無范圍限制的電壓,用戶能精確而獨(dú)立地設(shè)置每一個放大器跨導(dǎo),從而保證了大范圍電壓DAC的兼容性。
此外,系列中的每個器件都設(shè)置了一個不能功能,以實(shí)現(xiàn)加電保護(hù)和節(jié)約功耗。EL622XC系列能以高達(dá)52X速度符合CD-R and CD-R/W寫策略光盤格式的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的Orange規(guī)范。
這個系列中的MOSFET成功通過了國際上認(rèn)可的AEC Q101規(guī)范的認(rèn)證。該公司的Power Trend技術(shù)能在每個封裝中提供業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻RDS(on)。
由于有很低的柵極電荷,這些中等電壓器件特別適合于大電流應(yīng)用,特別是在許多新型汽車電子應(yīng)用中,幾種器件必須要并聯(lián)以得到很低的總的開關(guān)電阻。因?yàn)镻ower Trend MOSFET的低柵極電荷,所需要的驅(qū)動電流能降低,從而減小了驅(qū)動電路的體積。例如,F(xiàn)DB035AN06A0的總柵極電荷為12nC和超低的RDS(on)(TO-263室溫下最大值為3.5毫歐姆)。
設(shè)備端的芯片提供諸如設(shè)備ID號和所需的電壓電流的信息,還包含有制造廠家的目錄數(shù)據(jù)或其它需要的數(shù)據(jù)。帶有功率管理功能的墊子,能展開成任何大小或任何形狀的平面,從全球的電源系統(tǒng)考慮,該系統(tǒng)能真正解放手提設(shè)備。
微控制器XC167CI-16F40F和XC164CS-8F40F,優(yōu)化了工業(yè)驅(qū)動和控制系統(tǒng)中的性能和總成本之間的平衡問題。兩種高集成的微控制器支持Infineon公司的嵌入式閃存程序存儲器和成本效率的馬達(dá)和傳輸控制,高性能電力馬達(dá)驅(qū)動,機(jī)器人以及工業(yè)網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用所需的專用外設(shè)。
16位C166S V2 微控制器系列產(chǎn)品的新成員,把C166S V2內(nèi)核的擴(kuò)展功能和性能和強(qiáng)有力的片上外設(shè)子系統(tǒng)和片上閃存結(jié)合在一起。C167CI-16F40F的結(jié)構(gòu)對高指令吞吐量和對外部中斷的最小響應(yīng)時間進(jìn)行優(yōu)化。集成了智能的外設(shè)系統(tǒng)降低了CPU的干擾。
結(jié)構(gòu)的靈活性支持不同領(lǐng)域比如汽車電子,工業(yè)控制和數(shù)據(jù)通信的應(yīng)用要求。
系列中的每一器件都包含一個片上600 MHz振蕩器,以允許通過外部電阻接地來進(jìn)行頻率和幅度控制。通過向外部電阻施加一個無范圍限制的電壓,用戶能精確而獨(dú)立地設(shè)置每一個放大器跨導(dǎo),從而保證了大范圍電壓DAC的兼容性。
此外,系列中的每個器件都設(shè)置了一個不能功能,以實(shí)現(xiàn)加電保護(hù)和節(jié)約功耗。EL622XC系列能以高達(dá)52X速度符合CD-R and CD-R/W寫策略光盤格式的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的Orange規(guī)范。
這個系列中的MOSFET成功通過了國際上認(rèn)可的AEC Q101規(guī)范的認(rèn)證。該公司的Power Trend技術(shù)能在每個封裝中提供業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻RDS(on)。
由于有很低的柵極電荷,這些中等電壓器件特別適合于大電流應(yīng)用,特別是在許多新型汽車電子應(yīng)用中,幾種器件必須要并聯(lián)以得到很低的總的開關(guān)電阻。因?yàn)镻ower Trend MOSFET的低柵極電荷,所需要的驅(qū)動電流能降低,從而減小了驅(qū)動電路的體積。例如,F(xiàn)DB035AN06A0的總柵極電荷為12nC和超低的RDS(on)(TO-263室溫下最大值為3.5毫歐姆)。
設(shè)備端的芯片提供諸如設(shè)備ID號和所需的電壓電流的信息,還包含有制造廠家的目錄數(shù)據(jù)或其它需要的數(shù)據(jù)。帶有功率管理功能的墊子,能展開成任何大小或任何形狀的平面,從全球的電源系統(tǒng)考慮,該系統(tǒng)能真正解放手提設(shè)備。
熱門點(diǎn)擊
- 低功率0.18微米CMOS工藝實(shí)現(xiàn)1.8V內(nèi)
- 萬用表檢測電磁繼電器線圈上的供電電壓及觸點(diǎn)控
- 管腳輸出60%占空比PWM波MegaZoom
- 集成柵極驅(qū)動器兩相PWM控制器瞬態(tài)響應(yīng)速電源
- C166S V2內(nèi)核擴(kuò)展功能和性能和強(qiáng)有力片
- 運(yùn)算放大器比較器的輸出將改變狀態(tài)并向負(fù)電源軌
- 低電流模式傳輸電路傳送數(shù)據(jù)傳輸狀態(tài)電流限于1
- 導(dǎo)通電阻極低(2.6毫歐)的用作同步MOSF
- 帶有片內(nèi)功率MOSFET線性電流吸收電路常開
- 音頻雙聲道的公共端并能夠承受冷啟動和電池倍壓
推薦技術(shù)資料
- DFRobot—玩的就是
- 如果說新車間的特點(diǎn)是“靈動”,F(xiàn)QPF12N60C那么... [詳細(xì)]
- PCB嵌入式功率芯片封裝工作原理
- 莫仕儲能連接器技術(shù)結(jié)構(gòu)應(yīng)用詳情
- 新款 Snapdragon X
- Intel 18A(1.8nm
- 業(yè)界首款STM32配套無線物聯(lián)網(wǎng)模塊
- 2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大熱門看點(diǎn)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究