UF4C/SC SiC FET為設(shè)計(jì)人員提供了多種導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)。

1200 V SiC FET的導(dǎo)通電阻(RDS(on))值為23mΩ至70mΩ，可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，非常適合開關(guān)感性負(fù)載，以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。

UF4C/SC系列所有器件都可以用標(biāo)準(zhǔn)的0V至12V或15V柵極驅(qū)動(dòng)電壓安全驅(qū)動(dòng)，從而在不改變柵極驅(qū)動(dòng)電壓的情況下，成為硅IGBT、FET或超級(jí)結(jié)器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復(fù)特性和內(nèi)置ESD柵極保護(hù)箝位。

再將假設(shè)的C、E電極互換,重復(fù)上面步驟,比較兩次測(cè)得的電阻大小。測(cè)得電阻小的那次,紅表筆所接的引腳是集電極C,另一端是發(fā)射極E。

單列直插集成電路。所謂單列直插集成電路就是它的引腳只有一列,且引腳為直的(不是彎曲的).這類集成電路的引腳分布規(guī)律。

單列曲插集成電路。單列曲插集成電路的引腳也是呈一列排列的,但引腳不是直的,而是彎曲的,即相鄰兩個(gè)引腳的彎曲方向不同。是幾種單列曲插集成電路的引腳分布規(guī)律。

集成電路的基本檢測(cè)方法 集成電路的檢測(cè)分為在線檢測(cè)和脫機(jī)檢測(cè)。

在線檢測(cè)是測(cè)量集成電路各腳的直流電壓,與集成電路各腳直流電壓的標(biāo)準(zhǔn)值相比較,以此來判斷集成電路質(zhì)量的好壞。脫機(jī)檢測(cè)是測(cè)量集成電路各腳間的直流電阻,并與集成電路各腳間直流電阻的標(biāo)準(zhǔn)值相比較,從而判斷集成電路的好壞。

但是要注意,若因負(fù)載短路的原因,使大電流流過集成電路造成的損壞,在沒有排除負(fù)載短路故障的情況下,用相同型號(hào)的集成塊進(jìn)行替換實(shí)驗(yàn),其結(jié)果是造成集成塊的又一次損壞,因此,替換實(shí)驗(yàn)的前提是必須保證負(fù)載不短路。