三電平T型逆變拓撲導(dǎo)通能效和開關(guān)能效輸出電壓質(zhì)量穩(wěn)定
發(fā)布時間:2022/10/26 19:03:05 訪問次數(shù):274
新器件提供高達850mA的輸出電流，并且無需金屬散熱片。這款高度集成的IC支持30至550VDC的寬輸入電壓，使電動汽車應(yīng)用中的電子設(shè)備能夠在低于要求的安全超低電壓(SELV)閾值時正常啟動和工作。
“隨著電動汽車中的電子設(shè)備變得越來越復(fù)雜，汽車廠商需要更高的電源電流來驅(qū)動它們。
相較于LinkSwitch-TN2Q產(chǎn)品系列的其他器件，這款新IC的850mA額定值表示可用輸出電流增加了230%。LinkSwitch-TN2Q IC采用SMD封裝，內(nèi)部集成控制、驅(qū)動器、保護電路和750V功率MOSFET，可大幅減少元件數(shù)量。
第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個四組模塊，可為DC/DC轉(zhuǎn)換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。第二款模塊A2U12M12W2-F2采用三電平T型逆變拓撲，導(dǎo)通能效和開關(guān)能效均很出色，輸出電壓質(zhì)量穩(wěn)定。
RDS(on) x 芯片面積品質(zhì)因數(shù)非常出色，確保開關(guān)可以處理高電流，把功率損耗降至很低。每款芯片的典型導(dǎo)通電阻RDS(on)都是13mΩ，全橋拓撲和T型拓撲兩款模塊均可用于設(shè)計高功率應(yīng)用，而低熱耗散確保應(yīng)用能效出色，熱管理設(shè)計簡單。
車規(guī)級OptiMOS™功率MOSFET產(chǎn)品組合，樹立了20V-300V范圍內(nèi)的質(zhì)量標桿，提供了多種封裝和低至0.55 mΩ的Rds(on)。
該模型反應(yīng)流經(jīng)MOSFET的電流導(dǎo)致半導(dǎo)體的溫度變化，進而影響MOSFET的電氣參數(shù)，例如，電荷載流子遷移率、電壓閾值、漏極電阻、柵漏電容和柵源電容。
新器件提供高達850mA的輸出電流，并且無需金屬散熱片。這款高度集成的IC支持30至550VDC的寬輸入電壓，使電動汽車應(yīng)用中的電子設(shè)備能夠在低于要求的安全超低電壓(SELV)閾值時正常啟動和工作。
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相較于LinkSwitch-TN2Q產(chǎn)品系列的其他器件，這款新IC的850mA額定值表示可用輸出電流增加了230%。LinkSwitch-TN2Q IC采用SMD封裝，內(nèi)部集成控制、驅(qū)動器、保護電路和750V功率MOSFET，可大幅減少元件數(shù)量。
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