集成運算放大器現(xiàn)場檢測實操，主板中的集成運算放大器主要是雙運算放大器集成電路(如LM358、LM393等)和四運算放大器集成電路(如LM324等)。

主板中的集成運算放大器一般采用在路測量電壓或開路測量各引腳間的電阻值,下面以在路測量為例講解(以LM393為例)。

檢測結(jié)論:由于萬用表表針有較大幅度的擺動,說明該運算放大器LM393正常。

提示:如果萬用表表針不動,則說明運算放大器已損壞。

數(shù)字集成電路的現(xiàn)場檢測實操。

電路中的數(shù)字集成電路通常采用開路檢測對地電阻的方法進行檢測,數(shù)字集成電路的檢測方法。

第1步:觀察集成運算放大器的外觀,看待測集成運算放大器是否損壞,有無燒焦或針腳斷裂等情況。

第2步:清潔集成運算放大器的引腳,去除引腳上的污物,確保測量時的準(zhǔn)確性。

第3步:將指針萬用表的功能旋鈕旋至直流電壓擋的“10V”擋。

第4步:給主板通電,將萬用表的黑表筆接I的第4腳(負(fù)電源端)表筆接LM393的第1月出端1)。

第5步:觀察表盤,測量的電壓值為“5.1V”。

第6步:用金屬鑷子依次點觸運算放大器的第2腳和第3腳兩個輸入端(加入干擾信號),發(fā)現(xiàn)萬用表的表針有較大幅度的擺動，主板電路中的集成運算放大器的檢測方法(續(xù))。

第7步:觀察待測數(shù)字集成電路的外觀,看待測數(shù)字集成電路是否有燒焦或針腳斷裂等明顯的物理損壞。

將高頻高效的氮化鎵應(yīng)用于LED驅(qū)動電源上，借助氮化鎵高頻、高轉(zhuǎn)換效率、高擊穿電壓等特性，可以有效縮小產(chǎn)品體積并減少發(fā)熱情況，是高端燈具的理想選擇。

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熱行為按照以下方式建模：代表MOSFET耗散功率的電流源將熱量注入PN結(jié)，然后，熱量通過MOSFET封裝一直傳送到外殼。接著，將熱動力學(xué)建模為，由集總熱阻，和熱電容，組成的Cauer網(wǎng)絡(luò)。然后，通過對熱模型進行模擬仿真。