KA431并聯(lián)電壓調(diào)整器和CNY17F-3光耦相同從而節(jié)省器件體積
發(fā)布時間:2022/9/28 0:09:03 訪問次數(shù):249
光隔離誤差放大器FOD2741。它在8引腳的白色雙列直插封裝內(nèi)集成了光耦,精密基準源和誤差放大器,使它的功能和Fairchild的KA431并聯(lián)電壓調(diào)整器和CNY17F-3光耦相同,從而節(jié)省了器件體積。
它有5000V RMS隔離電壓,因此很適合用在離線功率轉(zhuǎn)換器中。
FOD2741提供功率轉(zhuǎn)換電路中初級和次級相互絕緣的電壓反饋,用作控制和調(diào)整。它可以和Fairchild的功率開關(guān)(FPS)和其它功率管理器件一起使用,簡化開關(guān)電源和DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。
FOD2741有UL,CSA,VDE和BSI安全認證,8引腳的白色雙列封裝可以是過孔或表面安裝的。
NCP1200系列提供業(yè)界最靈活的方法和外部的MOSFET組合和匹配,以同樣的電源設(shè)計和占位面積獲得5W到多于100W的功率。NCP1203和NCP1222A能使用戶自行對峰值電流進行編程,電流輸出能力達到250mA,而"跳躍周期"模式在輕負載時有極好的效率。
高壓應(yīng)用的DC/DC轉(zhuǎn)換器SIP90,輸出電壓從低于10V到90V,輸出電流高達1mA。很適合用在雪崩光電二極管偏壓中,它的占位面積僅為29.2x4.06mm,高度為13.97mm。
轉(zhuǎn)換器的輸入電壓從2.7V 到6.7V,可編程電壓從0V到4.5V。它的波紋電壓小于2 mVp-p,線和負載調(diào)整分別為0.06% 和0.025%。溫度系數(shù)低于200ppm/度。加電后輸出功率變化每小時小于0.01%。
晶體管/肖特基二極管組合封裝器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP雙極管不同版本,封裝尺寸為3x2x0.9mm,比通常的SM8封裝小88%。
該器件的封裝進一步降低了熱阻,使PC板面積上電流處理能力增加了三倍。
雙極器件的指標包括有Ic電流在3A到4.5A之間,1A時的飽和壓降VCE(sat)在140和20mV之間和飽和電阻RCE(sat)在47和104mW,額定電壓有12,20和40V三種。MOSFET的指標包括有漏極電流Id在0.3-2A之間,導通電阻RDS(on)在180和900mW之間, 漏源擊穿電壓BVDSS在0和40V之間。
光隔離誤差放大器FOD2741。它在8引腳的白色雙列直插封裝內(nèi)集成了光耦,精密基準源和誤差放大器,使它的功能和Fairchild的KA431并聯(lián)電壓調(diào)整器和CNY17F-3光耦相同,從而節(jié)省了器件體積。
它有5000V RMS隔離電壓,因此很適合用在離線功率轉(zhuǎn)換器中。
FOD2741提供功率轉(zhuǎn)換電路中初級和次級相互絕緣的電壓反饋,用作控制和調(diào)整。它可以和Fairchild的功率開關(guān)(FPS)和其它功率管理器件一起使用,簡化開關(guān)電源和DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。
FOD2741有UL,CSA,VDE和BSI安全認證,8引腳的白色雙列封裝可以是過孔或表面安裝的。
NCP1200系列提供業(yè)界最靈活的方法和外部的MOSFET組合和匹配,以同樣的電源設(shè)計和占位面積獲得5W到多于100W的功率。NCP1203和NCP1222A能使用戶自行對峰值電流進行編程,電流輸出能力達到250mA,而"跳躍周期"模式在輕負載時有極好的效率。
高壓應(yīng)用的DC/DC轉(zhuǎn)換器SIP90,輸出電壓從低于10V到90V,輸出電流高達1mA。很適合用在雪崩光電二極管偏壓中,它的占位面積僅為29.2x4.06mm,高度為13.97mm。
轉(zhuǎn)換器的輸入電壓從2.7V 到6.7V,可編程電壓從0V到4.5V。它的波紋電壓小于2 mVp-p,線和負載調(diào)整分別為0.06% 和0.025%。溫度系數(shù)低于200ppm/度。加電后輸出功率變化每小時小于0.01%。
晶體管/肖特基二極管組合封裝器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP雙極管不同版本,封裝尺寸為3x2x0.9mm,比通常的SM8封裝小88%。
該器件的封裝進一步降低了熱阻,使PC板面積上電流處理能力增加了三倍。
雙極器件的指標包括有Ic電流在3A到4.5A之間,1A時的飽和壓降VCE(sat)在140和20mV之間和飽和電阻RCE(sat)在47和104mW,額定電壓有12,20和40V三種。MOSFET的指標包括有漏極電流Id在0.3-2A之間,導通電阻RDS(on)在180和900mW之間, 漏源擊穿電壓BVDSS在0和40V之間。
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