存儲器的操作有讀和寫兩種基本操作，各種類型存儲器的讀操作都相同，而寫操作則各不相同。

RAM型存儲器的讀/寫操作幸免通過址/數(shù)據(jù)總線和片選、讀/寫控制線來完成；EEPROM型存儲器讀操作和RAM相同，寫操作由片內(nèi)定時完成擦除和編程操作，并有一個狀態(tài)信號線來指示寫操作是否完成.

PROM型存儲器的寫操作則由特殊工具來完成，系統(tǒng)中只有讀操作；Flash型存儲器的寫操作則由清“0”、置“1”和編程操作構(gòu)成。

清“0”和置“1”操作按扇區(qū)（一塊存儲區(qū)），如F206的一塊存儲區(qū)的大小為32個字，F(xiàn)lash0的起始地址為0000H，F(xiàn)lash1的起始地址為40000H，每個Flash塊包含512個扇區(qū)。

在軟件進行移相控制實現(xiàn)輸出電壓可調(diào)的同時，軟件實現(xiàn)電壓環(huán)的調(diào)節(jié)，使輸出穩(wěn)壓。

由于TMS320LF2407內(nèi)部帶有ADC模塊，因此，輸出電壓值通過電壓LEM采樣反饋給DSP的ADC模塊，在AD中斷程序里讀取采樣值，然后進行數(shù)字濾波和數(shù)字PI調(diào)節(jié)，使輸出穩(wěn)壓。

一般充電要求是恒流充電,充電時反饋用電流環(huán),對原邊的充電電流進行PI調(diào)節(jié)，實現(xiàn)恒流充電。

對副邊電壓的采樣，不僅實現(xiàn)了PI調(diào)節(jié)，同時也用來控制雙向工作方式的切換。

在雙向DC/DC的負載端電壓上升到一定程度時可以使能量倒流，對原邊進行充電，使副邊多余的能量能夠反饋給原邊。

按照對信息元處理的不同方法來分類的，分為分組碼和卷積碼。分組碼是把信源輸出的信息序列，以k個碼元劃分為一段，通過編碼器把這段的k個信息元，按一定規(guī)則產(chǎn)生r個校驗（監(jiān)督）元，輸出長為n=k+r的一個碼組。比較常用的有BCH碼、RS碼、Hamming碼等。

卷積碼是把輸出信源輸出的信息序列，以k0個（k0通常小于k）碼元分為段，通過編碼器輸出長為n0(≥通常小于k)碼元分為一段，通過編碼器輸出長為n0(≥通常小于k)碼元分為一段，通過編碼器輸出為n0(≥k0)的一的碼以。

但是該碼段的n0-k0個校驗元不僅與本組的信息有關(guān)，而且也與其前m段信息元有關(guān)，稱m為編碼存儲。因此卷積碼用（n0，k0,k）表示。

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