高速緩存與存儲器性能為其存儲更多數(shù)據(jù)或應用特性提供更高存儲容量

發(fā)布時間:2023/9/14 8:42:40 訪問次數(shù):63

HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻(RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關、系統(tǒng)和負載開關、輕載電機驅(qū)動，以及電信設備等應用。

新款SOT-23 MOSFET器件采用IR最新的中壓硅技術，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優(yōu)化了性能及價格。

新器件達到第一級潮濕敏感度(MSL1)業(yè)界標準，所采用的材料不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS) 。

2個渦輪解碼器協(xié)處理器(TCP2)與1個維特比協(xié)處理器(VCP2)可為無線應用提供片上加速功能。

這可卸下DSP內(nèi)核的計算密集型正向糾錯(FEC)任務，使其能夠處理其它功能與任務，從而可降低總體系統(tǒng)成本；

2MB片上L2存儲器(高速緩存高達1MB)，更快速的32位DDR2 EMIF（667MHz）與存儲器、高速緩存以及總線架構的提升實現(xiàn)了性能提升，這不但可為客戶的設計方案提供更優(yōu)異的高速緩存與存儲器性能，同時還可為其存儲更多數(shù)據(jù)或應用特性提供更高的存儲容量.

F-RAM內(nèi)存的讀寫速度比EEPROM快一百倍。其次，F(xiàn)-RAM的讀寫電壓比EEPROM低，對微弱RF讀/寫磁場的靈敏度更高，因此寫入距離更長。

每周的產(chǎn)業(yè)新聞中都會出現(xiàn)采用RF技術的新的應用報道，例如被動、半被動、主動的電子卷標芯片。在這些新應用中，有些要求或希望在標識其資產(chǎn)的 RFID芯片上可儲存更多的信息。

到目前為止，僅有少數(shù)廠商可以提供有較大內(nèi)存容量卷標的產(chǎn)品，大多數(shù)廠商只能提供容量僅比傳統(tǒng)純EPC標簽多數(shù)百個存儲位的產(chǎn)品。

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