DDR SDRAM對時鐘的精確性有著很高的要求，而DDR SDRAM有兩個時鐘，一個是外部的總線時鐘，一個是內(nèi)部的工作時鐘，在理論上DDR SDRAM這兩個時鐘應(yīng)該是同步的，但由于種種原因，如溫度、電壓波動而產(chǎn)生延遲使兩者很難同步，更何況時鐘頻率本身也有不穩(wěn)定的情況（SDRAM也內(nèi)部時鐘，不過因?yàn)樗墓ぷ?傳輸頻率較低，所以內(nèi)外同步問題并不突出）。

MAX9626–MAX9628的輸出共模電壓通過一個輸入引腳(VOCM)設(shè)置，無需使用耦合變壓器或交流耦合電容。這種方式能夠避免外部元件非理想特性的影響，因而可節(jié)省電路板空間、提高性能。

為滿足輕薄型產(chǎn)品的需求，BGA（Ball grid arrya）封裝的64pin及113pin產(chǎn)品，尺寸分別為5mmｘ5mm、6mmｘ6mm，進(jìn)一步減小封裝面積，有助于實(shí)現(xiàn)整機(jī)的小型化。

隨著產(chǎn)品線的擴(kuò)充，“V850ES/Jx3”系列產(chǎn)品從閃存16KB到1MB，外部引腳數(shù)量從40pin到144pin共計(jì)117款產(chǎn)品。

全新推廣的產(chǎn)品非常適合電池驅(qū)動的消費(fèi)電子產(chǎn)品及電腦周邊產(chǎn)品、健康器械、工業(yè)設(shè)備，有助于提高整機(jī)競爭力。日后，將繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品線并積極推廣全線產(chǎn)品。

在讀取時，DQS與數(shù)據(jù)信號同時生成（也是在CK與CK#的交叉點(diǎn)）。而DDR內(nèi)存中的CL也就是從CAS發(fā)出到DQS生成的間隔，數(shù)據(jù)真正出現(xiàn)在數(shù)據(jù)I/O總線上相對于DQS觸發(fā)的時間間隔被稱為tAC。注意，這與SDRAM中的tAC的不同。

實(shí)際上，DQS生成時，芯片內(nèi)部的預(yù)取已經(jīng)完畢了，tAC是指上文結(jié)構(gòu)圖中灰色部分的數(shù)據(jù)輸出時間，由于預(yù)取的原因，實(shí)際的數(shù)據(jù)傳出可能會提前于DQS發(fā)生（數(shù)據(jù)提前于DQS傳出）。

使用了帶PLL芯科IC為家用高性能微型音頻設(shè)備。由于使用了高密度封裝技術(shù)，相對傳統(tǒng)的MITSUMI器件其面積減小40%。

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