這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本。

這個(gè)技術(shù)能夠使DRAM內(nèi)存和存儲(chǔ)結(jié)合為一個(gè)高速的、高帶寬的架構(gòu)。但是，這個(gè)飛躍還有很長(zhǎng)的路要走�；诒局苋嫉倪@種技術(shù)的產(chǎn)品還要等許多年才能出現(xiàn)。

這種技術(shù)能夠在同一個(gè)基本的硫族(元素)化物材料商創(chuàng)建薄膜內(nèi)存單元機(jī)器控制薄膜選擇器，并且在一個(gè)交叉點(diǎn)架構(gòu)上把這些元件組合在一起。

這款新型濾波器的SD通道具有6.75MHz的平坦度，包含兩個(gè)用于SD濾波的5階Butterworth濾波器。SD部分還包含了用于復(fù)合視頻基帶信號(hào)輸出的一組內(nèi)置Y/C通道。ED/HD通道由三個(gè)5階Butterworth濾波器組成，其+0.1dB增益平坦度典型值帶寬最高分別達(dá)到13.5MHz和30MHz。

ADA4424-6還集成了一個(gè)電荷泵，允許輸出擺幅低于地電平1.4V，因而可省去大的耦合電容。此濾波器的輸出驅(qū)動(dòng)器可提供固定增益為6.2dB的軌到軌輸出。

這項(xiàng)技術(shù)突破稱作PCMS（相變內(nèi)存與開(kāi)關(guān)）的相變內(nèi)存（PCM）技術(shù)的一個(gè)進(jìn)步。

nvSRAM對(duì)于要求絕對(duì)數(shù)據(jù)非易失安全性的應(yīng)用來(lái)說(shuō)是理想的選擇，如RAID系統(tǒng)、工業(yè)控制和自動(dòng)化（如PLC，馬達(dá)控制、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和機(jī)器人）、單板計(jì)算機(jī)、POS終端、電子抄表、汽車(chē)、醫(yī)療和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。

并行nvSRAM的存取時(shí)間可達(dá)20納秒，讀、寫(xiě)和取回次數(shù)是無(wú)限的，數(shù)據(jù)最長(zhǎng)可以保存20年。

新的薄膜選擇器名為雙向閾值開(kāi)關(guān)，允許把多層的內(nèi)存/選擇器層放在一個(gè)CMOS基礎(chǔ)上，以創(chuàng)建高密度、高帶寬的PCM內(nèi)存。

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