GA之間反向電阻趨于無(wú)窮大A-K間電阻無(wú)窮大均不會(huì)出現(xiàn)低阻情況
發(fā)布時(shí)間:2023/10/10 8:55:46 訪問(wèn)次數(shù):69
三極管好壞的判斷可在RX 100或R×1k擋上進(jìn)行,如果按照上述方法無(wú)法判斷出一個(gè)三極管的管型及基極,說(shuō)明此管損壞。
用萬(wàn)用表的hFE擋來(lái)進(jìn)行判別。當(dāng)管型確定后,將三極管插入“NPN”或“PNP”插孔,將萬(wàn)用表置于“hFE”擋,若hFE(`)值不正常(如為零或大于300),則說(shuō)明管子已壞。
晶間管是晶體間流管的簡(jiǎn)稱(chēng),又叫做可控硅。晶間管有單向晶間管和雙向晶閘管兩種類(lèi)型,是一種大功率的半導(dǎo)體器件。晶閘管從外形上分為螺栓形、平板形和平底形,常見(jiàn)晶間管的外形和符號(hào)。
螺栓形晶閘管的螺栓一端為陽(yáng)極A,較細(xì)的引線端為門(mén)極G,較粗的引線端為陰極K;平板形晶閘管的引出線端為門(mén)極G,平面端為陽(yáng)極A,另一端為陰極K;金屬殼封裝(T0-3)的晶閘管,其外殼為陽(yáng)極A。
單向晶閘管電極判斷，將萬(wàn)用表?yè)苤罵×100擋,兩支表筆各任意接兩個(gè)電極。只要測(cè)得低電阻值,證明測(cè)的是PN結(jié)正向電阻,這時(shí)黑表筆接的是陽(yáng)極,紅表筆接的是控制極。這是因?yàn)镚A之間反向電阻趨于無(wú)窮大,A-K間電阻也總是無(wú)窮大,均不會(huì)出現(xiàn)低阻的情況。
FAN7930還具有最大開(kāi)關(guān)頻率限制功能，能夠在高噪聲和大電流等異常狀況下穩(wěn)定運(yùn)作。在AC快速開(kāi)關(guān)測(cè)試期間或短時(shí)間電力故障的情況下，AC缺失檢測(cè)功能可以提高系統(tǒng)的可靠性。
此外，新器件提供了軟啟動(dòng)和無(wú)過(guò)沖(overshoot-less)功能，能夠降低啟動(dòng)時(shí)的電壓和電流應(yīng)力，并可去除由多余的過(guò)壓保護(hù)(OVP)觸發(fā)所產(chǎn)生的噪聲。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
三極管好壞的判斷可在RX 100或R×1k擋上進(jìn)行,如果按照上述方法無(wú)法判斷出一個(gè)三極管的管型及基極,說(shuō)明此管損壞。
用萬(wàn)用表的hFE擋來(lái)進(jìn)行判別。當(dāng)管型確定后,將三極管插入“NPN”或“PNP”插孔,將萬(wàn)用表置于“hFE”擋,若hFE(`)值不正常(如為零或大于300),則說(shuō)明管子已壞。
晶間管是晶體間流管的簡(jiǎn)稱(chēng),又叫做可控硅。晶間管有單向晶間管和雙向晶閘管兩種類(lèi)型,是一種大功率的半導(dǎo)體器件。晶閘管從外形上分為螺栓形、平板形和平底形,常見(jiàn)晶間管的外形和符號(hào)。
螺栓形晶閘管的螺栓一端為陽(yáng)極A,較細(xì)的引線端為門(mén)極G,較粗的引線端為陰極K;平板形晶閘管的引出線端為門(mén)極G,平面端為陽(yáng)極A,另一端為陰極K;金屬殼封裝(T0-3)的晶閘管,其外殼為陽(yáng)極A。
單向晶閘管電極判斷，將萬(wàn)用表?yè)苤罵×100擋,兩支表筆各任意接兩個(gè)電極。只要測(cè)得低電阻值,證明測(cè)的是PN結(jié)正向電阻,這時(shí)黑表筆接的是陽(yáng)極,紅表筆接的是控制極。這是因?yàn)镚A之間反向電阻趨于無(wú)窮大,A-K間電阻也總是無(wú)窮大,均不會(huì)出現(xiàn)低阻的情況。
FAN7930還具有最大開(kāi)關(guān)頻率限制功能，能夠在高噪聲和大電流等異常狀況下穩(wěn)定運(yùn)作。在AC快速開(kāi)關(guān)測(cè)試期間或短時(shí)間電力故障的情況下，AC缺失檢測(cè)功能可以提高系統(tǒng)的可靠性。
此外，新器件提供了軟啟動(dòng)和無(wú)過(guò)沖(overshoot-less)功能，能夠降低啟動(dòng)時(shí)的電壓和電流應(yīng)力，并可去除由多余的過(guò)壓保護(hù)(OVP)觸發(fā)所產(chǎn)生的噪聲。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
相關(guān)技術(shù)資料- 1-8第8代1800A/1200V IGBT功率模塊簡(jiǎn)述
- 1-81200V CoolSiC嵌入的技術(shù)方案和應(yīng)用探究
- 1-8PCB嵌入式功率芯片封裝應(yīng)用研究
- 1-8反射傳感器簡(jiǎn)化光電開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)
- 1-8導(dǎo)電性高分子混合鋁電解電容器
- 1-8PCIe Gen4 SSD主控芯片
- 1-7車(chē)載顯示技術(shù)AR-HUD功能技術(shù)應(yīng)用詳情
- 1-72 納米工藝 A18 Pro 芯片參數(shù)技術(shù)應(yīng)用探究
- 1-7新一代 HBM3/HBM3e 的前端設(shè)計(jì)
- 1-7NAND FLASH控制器芯片結(jié)構(gòu)應(yīng)用參數(shù)
- 1-7SoC芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
- 1-7嵌入式存儲(chǔ)芯片PPI Nand
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 斷路后電阻兩端不會(huì)有電流流過(guò)因此電阻兩端不再
- 電源線中火線單獨(dú)放在鉗形表鉗口內(nèi)檢測(cè)出電源線
- 向前推時(shí)進(jìn)行切割在向后返回時(shí)不起切削作用安裝
- 可動(dòng)部件構(gòu)成硅晶片和上下包裹著硅晶片結(jié)合密封
- 垂直尾翼被水平尾翼分上下兩個(gè)方向舵轉(zhuǎn)軸用萬(wàn)向
- dc/dc轉(zhuǎn)換器電池充電器和低壓電源提供二級(jí)
- 交流的負(fù)反饋可以改善放大器特性減小放大器非線
- 雙FT245 FIFO主機(jī)總線仿真模式CPU
- 碰撞電離模型認(rèn)為能量大于3,2cV高能電子打
- 鉸鏈安裝在機(jī)翼前緣根部收放作動(dòng)筒將保持在收上
推薦技術(shù)資料
- 業(yè)余條件下PCM2702
- PGM2702采用SSOP28封裝，引腳小而密，EP3... [詳細(xì)]
- 第8代1800A/1200V
- 1200V CoolSiC嵌入
- PCB嵌入式功率芯片封裝應(yīng)用研究
- 反射傳感器簡(jiǎn)化光電開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)
- 導(dǎo)電性高分子混合鋁電解電容器
- PCIe Gen4 SSD主控芯片
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
