HD Graphics 5000的TDP就是15W級別的。盡管與Ivy Bridge相比，其性能有所提升，但是結(jié)果并不是很明顯。

集成顯卡的性能在近幾年有了很大的提升，但是追求性能的買家們，基本還是不會去考慮它的。也因?yàn)榭偸锹浜笥贏MD和Nvidia的GPU，"Intel HD Graphics"也成了"不怎么樣"的代名詞。

Intel希望用全新的Iris集顯，打破這一管慣例——即將到來的Haswell處理器上，也將預(yù)置全新的"Iris" Graphics——且其有望提供在當(dāng)代Ivy Bridge處理器上、HD 4000系列集成顯卡的兩到三倍的性能。

由于s⒑2中場強(qiáng)分布不是線性的,只要達(dá)到該處S⒑2介質(zhì)的擊穿場強(qiáng),就發(fā)生局部介質(zhì)擊穿,進(jìn)而擴(kuò)展到整個S⒑2層,這是電子負(fù)電荷積累模型。

在外場作用下,電流呈絲狀形式漂移穿過S⒑2 膜,這種絲狀電流直徑僅數(shù)納米,電流密度很大,而s⒑2的導(dǎo)熱率很低(30Ok時(shí)約為0.01W/cm℃),局部地區(qū)產(chǎn)生很大的焦耳熱使溫度升高,溫升又促進(jìn)F―N電流增加,這樣互相促進(jìn)的正反饋?zhàn)饔?最終形成局部高溫。

具體擊穿過程一般認(rèn)為是一個熱、電過程。隧穿電流與陰極場強(qiáng)有關(guān)。

電子負(fù)電荷積累模型s⒑2在一定電場作用下,產(chǎn)生F―N隧穿電流,電子從陰極注入氧化層中, 注入電子在陰極附近可產(chǎn)生新的陷阱或被陷阱所俘獲,局部電荷的積累使其與陽極間某些局部地區(qū)電場增強(qiáng).

氫釋放模型認(rèn)為,Sio2界面附近的熱電子把自身能量傳遞給si,引起晶格振動,在si表面就會釋放一些類氫粒子,這些粒子能夠越過so2和si的界面勢壘,并產(chǎn)生陷阱、界面態(tài)和復(fù)合中心等類型的缺陷,此模型主要研究均勻應(yīng)力下的器件退化。

碰撞電離模型認(rèn)為,能量大于3,2cV的高能電子打斷si-H鍵,產(chǎn)生了界面態(tài)。