dc/dc轉(zhuǎn)換器電池充電器和低壓電源提供二級過流保護
發(fā)布時間:2023/10/13 9:00:38 訪問次數(shù):168
16個64Gbit NAND芯片,并采用先進的芯片減薄和壓層技術(shù),使得單個芯片的厚度只有30微米厚。
FU 0603薄膜扁平片狀保險絲采用1.55mmx0.85mmx0.45mm片狀尺寸,額定電壓為32V,提供高達4A的電流以及35A的斷流容量。該保險絲為移動消費電子產(chǎn)品中的dc/dc轉(zhuǎn)換器,電池充電器和低壓電源提供二級過流保護。
快速晶閘管是一個P-N-P-N共4層的三端器件,符號與普通晶問管一樣,主要用于較高頻率的整流、斬波、逆變和變頻電路,為快速晶閘管的外形特點。
500/600/650/700伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品。這標(biāo)志著AOS不斷壯大的高壓MOSFET產(chǎn)品組合的重大擴展。在用于臺式機、筆記本電腦、液晶電視、顯示器和螢光燈照明應(yīng)用等的一系列交直流電源和適配器上,新型高壓MOSFET設(shè)備均有用武之地。
對新型銅、銀、金80 Plus規(guī)格的高效率電源的需求正不斷增長。透過開發(fā)高性能的高壓MOSFET,并結(jié)合低壓同步整流器,AOS能夠向電源設(shè)計師提供先進的MOSFET整體解決方案。
可關(guān)斷晶閘管GTO俗稱門控品閘管,屬于P-N-P-N共4層的三端器件。
其結(jié)構(gòu)及等效電路與普通晶閘管相同,可關(guān)斷晶閘管的主要特點是當(dāng)門極加負向觸發(fā)信號時能自行關(guān)斷,實物外形及基本特性。
這就需要增加換向電路,不僅使設(shè)備的體積、重量增大,而且會降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲。
可關(guān)斷品閘管克服了普通晶閘管的上述缺陷,既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,又具有自關(guān)新能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。大功率可關(guān)斷品閘管已廣泛用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域。
16個64Gbit NAND芯片,并采用先進的芯片減薄和壓層技術(shù),使得單個芯片的厚度只有30微米厚。
FU 0603薄膜扁平片狀保險絲采用1.55mmx0.85mmx0.45mm片狀尺寸,額定電壓為32V,提供高達4A的電流以及35A的斷流容量。該保險絲為移動消費電子產(chǎn)品中的dc/dc轉(zhuǎn)換器,電池充電器和低壓電源提供二級過流保護。
快速晶閘管是一個P-N-P-N共4層的三端器件,符號與普通晶問管一樣,主要用于較高頻率的整流、斬波、逆變和變頻電路,為快速晶閘管的外形特點。
500/600/650/700伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品。這標(biāo)志著AOS不斷壯大的高壓MOSFET產(chǎn)品組合的重大擴展。在用于臺式機、筆記本電腦、液晶電視、顯示器和螢光燈照明應(yīng)用等的一系列交直流電源和適配器上,新型高壓MOSFET設(shè)備均有用武之地。
對新型銅、銀、金80 Plus規(guī)格的高效率電源的需求正不斷增長。透過開發(fā)高性能的高壓MOSFET,并結(jié)合低壓同步整流器,AOS能夠向電源設(shè)計師提供先進的MOSFET整體解決方案。
可關(guān)斷晶閘管GTO俗稱門控品閘管,屬于P-N-P-N共4層的三端器件。
其結(jié)構(gòu)及等效電路與普通晶閘管相同,可關(guān)斷晶閘管的主要特點是當(dāng)門極加負向觸發(fā)信號時能自行關(guān)斷,實物外形及基本特性。
這就需要增加換向電路,不僅使設(shè)備的體積、重量增大,而且會降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲。
可關(guān)斷品閘管克服了普通晶閘管的上述缺陷,既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,又具有自關(guān)新能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。大功率可關(guān)斷品閘管已廣泛用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域。
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