F-RAM存儲器具有固有的抗輻射性能，該技術非常適合滿足太空應用不斷發展的任務要求，而這些應用歷來使用的是速度較慢、不太堅固的EEPROM非易失性存儲器。

與同類產品相比，產品的特點包括：更快的存儲器隨機存取速度；通過采用即時非易失性寫入技術提高數據安全性；低功耗、極低的編程電壓（低至2V）以及20mA最大工作電流。

F-RAM本身不受軟錯誤、磁場或輻射效應影響，且無需軟件來管理頁面邊界。其接近無限的耐用性（1013個寫入周期）意味著不需要損耗均衡。

主要特性

外形尺寸更小，使氣流能夠更好地流向PCB上的其他部件，同時節省寶貴的PCB空間.

彎式接頭、彎式插座和直式插座提供共面和背板應用，提升設計靈活性.

大功率應用中，每個端子的電流高達75A；小功率應用中，每個端子的電流高達45A；信號端子提供出色的功率密度和電壓及信號要求，滿足關鍵的功率規格和各種應用的要求.

設計靈活可擴展，能夠節省模具成本.

隨著對小巧、高密度存儲器的需求激增，Teledyne e2v強調其最新的存儲器芯片能與當下所有高端太空處理組件兼容，其中包括AMD/Xilinx VERSAL® ACAP處理器、宇航級FPGA、MPSOC、Microchip RT PolarFire®以及眾多的ASIC。

超快速、高密度的8GB宇航級DDR4存儲器，具有與先前的4GB產品有相同的外形尺寸和管腳兼容性，是優化下一代星載開發應用的理想之選。

現代衛星的載荷按每分鐘、每小時來存儲和轉換大量數據；諸如地球觀測等任務都需要數十GB的存儲空間。

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