英飛凌科技公司的研究表明，用碳納米管制造的功率晶體管其典型開關電阻只有常規(guī)晶體管的二十分之一。這就相應降低功率損耗。研究還發(fā)現(xiàn)，碳基晶體管能夠承受的電流密度大約是硅基晶體管的 200 倍。

納米技術領域的幾項新進展均被融合到了這種納米管功率晶體管的生產(chǎn)中。其中，英飛凌公司的研究人員能夠在600°C 的“低溫”下生長出高質量的單壁碳納米管，而此前則需要大約 900 °C的溫度。

英飛凌公司用鈀來制造帶有漏極觸點、源極觸點和柵極觸點的整個晶體管。硅被用作襯底，盡管任何傳導材料都滿足要求。然后，研究人員在高-k二氧化鋁柵極介質上生長出碳納米管。碳納米管在相對簡單的工藝中隨機分布，不過平行排列的碳納米管數(shù)量足以用作漏極和源極之間的連線。