一種較大驅(qū)動(dòng)電流的銻化銦磁阻式齒輪轉(zhuǎn)速傳感器設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2008/6/3 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):908
    
     摘 要:本文介紹一種采用銻化銦-銦共晶體磁敏電阻作為敏感元件的半導(dǎo)體薄膜型齒輪轉(zhuǎn)速傳感器,得出了傳感器檢測(cè)距離與磁阻輸出信號(hào)的關(guān)系曲線。傳感器驅(qū)動(dòng)級(jí)采用推挽輸出的形式,輸出矩形脈沖負(fù)荷能力強(qiáng),輸出拉電流最大可達(dá)200ma以上,當(dāng)溫度在-30℃~+70℃之間變化時(shí),信號(hào)處理電路輸出依然穩(wěn)定可靠。
    關(guān)鍵詞:銻化銦-銦;齒輪轉(zhuǎn)速傳感器;推挽驅(qū)動(dòng)
    
    一、引言
    銻化銦齒輪轉(zhuǎn)速傳感器是一種測(cè)量旋轉(zhuǎn)物體轉(zhuǎn)速的裝置,由敏感元件和處理電路組成,其中,敏感元件采用半導(dǎo)體銻化銦薄膜磁阻元件制成。這種傳感器具有靈敏度較高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、生產(chǎn)成本低、應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)[1][2],具有較強(qiáng)的實(shí)用性。但是用半導(dǎo)體銻化銦生產(chǎn)的轉(zhuǎn)速傳感器往往也存在一些缺陷,如半導(dǎo)體材料溫度系數(shù)較大,環(huán)境溫度改變時(shí)可能導(dǎo)致輸出誤報(bào)現(xiàn)象;此外,在實(shí)際生產(chǎn)中,還要考慮銻化銦磁阻的靜態(tài)阻值允許有一定不對(duì)稱(chēng)性和離散性;谝陨蟽蓚(gè)特點(diǎn),本文有針對(duì)性地設(shè)計(jì)了電路,抑制了溫漂的影響。
    二、銻化銦齒輪轉(zhuǎn)速傳感器的工作原理
    半導(dǎo)體銻化銦insb轉(zhuǎn)速傳感器的工作原理的理論基礎(chǔ)是磁阻效應(yīng),即磁感應(yīng)強(qiáng)度變化引起磁敏電阻的電阻率改變。對(duì)于n型半導(dǎo)體材料,當(dāng)兩種載流子遷移率相差相當(dāng)懸殊而且空穴遷移率小到可忽略不計(jì)時(shí),其電阻率的變化可表示為[3]:
    (rb-r0)/r0= 0.273mn2b2 (1)
    式中:b—磁感應(yīng)強(qiáng)度;
    rb、r0—磁感應(yīng)強(qiáng)度分別在b和0時(shí)材料的電阻率;
    mn—半導(dǎo)體材料中電子遷移率。
    insb材料具有電子遷移率高的特點(diǎn),室溫下質(zhì)量良好的n型insb的電子遷移率可高達(dá)78000cm2/v?s,是制作磁敏電阻的合適材料。如果用薄膜工藝制造的銻化銦銦(insb-in)共晶體薄膜代替銻化銦單晶體,可以克服用傳統(tǒng)工藝制磁阻元件時(shí)須采用把單晶切片再研磨減薄工藝的許多缺點(diǎn),節(jié)約了材料,提高了效率。
    銻化銦磁頭工作原理見(jiàn)圖1,它由兩個(gè)insb--in共晶體磁敏電阻 mr1和mr2、基片和永磁體等構(gòu)成。永磁體中發(fā)出的磁力線在空間中是發(fā)散的,有一部分穿越基片和磁敏電阻到達(dá)表面,且分布基本對(duì)稱(chēng)。當(dāng)齒輪劃過(guò)磁頭某一磁阻附近的瞬間,磁力線密度在這個(gè)磁敏元件處增加,而在另一個(gè)磁敏元件處減小,從而導(dǎo)致兩個(gè)磁阻元件的阻值一個(gè)增加,一個(gè)減小。由于磁頭由穩(wěn)壓源供電(如圖2),由歐姆定理可知:在兩個(gè)磁敏元件連接點(diǎn)處輸出電壓va發(fā)生變化,即磁頭輸出隨之變化的電信號(hào),這個(gè)信號(hào)的頻率可以反映齒輪旋轉(zhuǎn)快慢。
    三、信號(hào)處理電路的設(shè)計(jì)
    信號(hào)采集電路采用磁阻三端差分型輸出電路(如圖2),這種信號(hào)采集電路具有輸出信號(hào)較大和較強(qiáng)抑制溫漂的能力。
    信號(hào)處理電路采用阻容耦合型差動(dòng)放大電路(如圖3),ic1和ic2為兩級(jí)差動(dòng)放大,改變r(jià)3、r4、r5和r6的阻值可以調(diào)整放大倍數(shù)。運(yùn)放的靜態(tài)電壓由r1和r2來(lái)調(diào)節(jié),考慮到通常磁頭內(nèi)的上、下兩個(gè)磁阻元件不完全平衡,mr1與mr2的阻值會(huì)有10%以?xún)?nèi)的差別,在+5v的工作電源下,信號(hào)采集的輸出端電壓會(huì)在2.4v~2.6v之間。為了減少信號(hào)在磁頭與運(yùn)放之間阻容耦合中的損失,一般把集成運(yùn)放靜態(tài)電壓設(shè)置為低于2.5v,取2v比較合適。ic3為電壓比較器,電阻r7和r8用來(lái)調(diào)節(jié)比較器基準(zhǔn)電壓。磁頭輸出的微弱信號(hào)經(jīng)過(guò)兩級(jí)電壓放大和電壓比較器后輸出為矩形脈沖。
    比較器輸出的脈沖驅(qū)動(dòng)電流有限,一般不采用此脈沖直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載,而是經(jīng)過(guò)一驅(qū)動(dòng)級(jí)電路。比較器輸出脈沖作為驅(qū)動(dòng)級(jí)的輸入信號(hào),再由驅(qū)動(dòng)級(jí)輸出脈沖向外提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。目前常用的驅(qū)動(dòng)方法是集電極開(kāi)路驅(qū)動(dòng)法,而實(shí)際上這種方法存在驅(qū)動(dòng)電流小和輸出的高電平不穩(wěn)定等缺點(diǎn)。下面介紹一種采用ttl推挽輸出的驅(qū)動(dòng)電路。
    四、采用ttl推挽輸出的驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)量實(shí)驗(yàn)
    下面通過(guò)實(shí)驗(yàn)分別對(duì)磁頭輸出信號(hào)大小與檢測(cè)距離之間的關(guān)系、傳感器的驅(qū)動(dòng)能力、傳感器溫度穩(wěn)定性等進(jìn)行測(cè)試。
    1、磁頭輸出信號(hào)大小與檢測(cè)距離關(guān)系實(shí)驗(yàn)
    隨機(jī)選出三個(gè)圖1所示的銻化銦磁頭,磁頭靈敏度均為3.2倍(b=0.3t),分別標(biāo)記為1!3#。改變檢測(cè)距離,分別記錄不同檢測(cè)距離時(shí)磁敏電阻輸出的信號(hào)峰值vpp,得出的磁敏電阻輸出信號(hào)與檢測(cè)距離的關(guān)系如圖4。
  &nbs
    
     摘 要:本文介紹一種采用銻化銦-銦共晶體磁敏電阻作為敏感元件的半導(dǎo)體薄膜型齒輪轉(zhuǎn)速傳感器,得出了傳感器檢測(cè)距離與磁阻輸出信號(hào)的關(guān)系曲線。傳感器驅(qū)動(dòng)級(jí)采用推挽輸出的形式,輸出矩形脈沖負(fù)荷能力強(qiáng),輸出拉電流最大可達(dá)200ma以上,當(dāng)溫度在-30℃~+70℃之間變化時(shí),信號(hào)處理電路輸出依然穩(wěn)定可靠。
    關(guān)鍵詞:銻化銦-銦;齒輪轉(zhuǎn)速傳感器;推挽驅(qū)動(dòng)
    
    一、引言
    銻化銦齒輪轉(zhuǎn)速傳感器是一種測(cè)量旋轉(zhuǎn)物體轉(zhuǎn)速的裝置,由敏感元件和處理電路組成,其中,敏感元件采用半導(dǎo)體銻化銦薄膜磁阻元件制成。這種傳感器具有靈敏度較高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、生產(chǎn)成本低、應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)[1][2],具有較強(qiáng)的實(shí)用性。但是用半導(dǎo)體銻化銦生產(chǎn)的轉(zhuǎn)速傳感器往往也存在一些缺陷,如半導(dǎo)體材料溫度系數(shù)較大,環(huán)境溫度改變時(shí)可能導(dǎo)致輸出誤報(bào)現(xiàn)象;此外,在實(shí)際生產(chǎn)中,還要考慮銻化銦磁阻的靜態(tài)阻值允許有一定不對(duì)稱(chēng)性和離散性。基于以上兩個(gè)特點(diǎn),本文有針對(duì)性地設(shè)計(jì)了電路,抑制了溫漂的影響。
    二、銻化銦齒輪轉(zhuǎn)速傳感器的工作原理
    半導(dǎo)體銻化銦insb轉(zhuǎn)速傳感器的工作原理的理論基礎(chǔ)是磁阻效應(yīng),即磁感應(yīng)強(qiáng)度變化引起磁敏電阻的電阻率改變。對(duì)于n型半導(dǎo)體材料,當(dāng)兩種載流子遷移率相差相當(dāng)懸殊而且空穴遷移率小到可忽略不計(jì)時(shí),其電阻率的變化可表示為[3]:
    (rb-r0)/r0= 0.273mn2b2 (1)
    式中:b—磁感應(yīng)強(qiáng)度;
    rb、r0—磁感應(yīng)強(qiáng)度分別在b和0時(shí)材料的電阻率;
    mn—半導(dǎo)體材料中電子遷移率。
    insb材料具有電子遷移率高的特點(diǎn),室溫下質(zhì)量良好的n型insb的電子遷移率可高達(dá)78000cm2/v?s,是制作磁敏電阻的合適材料。如果用薄膜工藝制造的銻化銦銦(insb-in)共晶體薄膜代替銻化銦單晶體,可以克服用傳統(tǒng)工藝制磁阻元件時(shí)須采用把單晶切片再研磨減薄工藝的許多缺點(diǎn),節(jié)約了材料,提高了效率。
    銻化銦磁頭工作原理見(jiàn)圖1,它由兩個(gè)insb--in共晶體磁敏電阻 mr1和mr2、基片和永磁體等構(gòu)成。永磁體中發(fā)出的磁力線在空間中是發(fā)散的,有一部分穿越基片和磁敏電阻到達(dá)表面,且分布基本對(duì)稱(chēng)。當(dāng)齒輪劃過(guò)磁頭某一磁阻附近的瞬間,磁力線密度在這個(gè)磁敏元件處增加,而在另一個(gè)磁敏元件處減小,從而導(dǎo)致兩個(gè)磁阻元件的阻值一個(gè)增加,一個(gè)減小。由于磁頭由穩(wěn)壓源供電(如圖2),由歐姆定理可知:在兩個(gè)磁敏元件連接點(diǎn)處輸出電壓va發(fā)生變化,即磁頭輸出隨之變化的電信號(hào),這個(gè)信號(hào)的頻率可以反映齒輪旋轉(zhuǎn)快慢。
    三、信號(hào)處理電路的設(shè)計(jì)
    信號(hào)采集電路采用磁阻三端差分型輸出電路(如圖2),這種信號(hào)采集電路具有輸出信號(hào)較大和較強(qiáng)抑制溫漂的能力。
    信號(hào)處理電路采用阻容耦合型差動(dòng)放大電路(如圖3),ic1和ic2為兩級(jí)差動(dòng)放大,改變r(jià)3、r4、r5和r6的阻值可以調(diào)整放大倍數(shù)。運(yùn)放的靜態(tài)電壓由r1和r2來(lái)調(diào)節(jié),考慮到通常磁頭內(nèi)的上、下兩個(gè)磁阻元件不完全平衡,mr1與mr2的阻值會(huì)有10%以?xún)?nèi)的差別,在+5v的工作電源下,信號(hào)采集的輸出端電壓會(huì)在2.4v~2.6v之間。為了減少信號(hào)在磁頭與運(yùn)放之間阻容耦合中的損失,一般把集成運(yùn)放靜態(tài)電壓設(shè)置為低于2.5v,取2v比較合適。ic3為電壓比較器,電阻r7和r8用來(lái)調(diào)節(jié)比較器基準(zhǔn)電壓。磁頭輸出的微弱信號(hào)經(jīng)過(guò)兩級(jí)電壓放大和電壓比較器后輸出為矩形脈沖。
    比較器輸出的脈沖驅(qū)動(dòng)電流有限,一般不采用此脈沖直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載,而是經(jīng)過(guò)一驅(qū)動(dòng)級(jí)電路。比較器輸出脈沖作為驅(qū)動(dòng)級(jí)的輸入信號(hào),再由驅(qū)動(dòng)級(jí)輸出脈沖向外提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。目前常用的驅(qū)動(dòng)方法是集電極開(kāi)路驅(qū)動(dòng)法,而實(shí)際上這種方法存在驅(qū)動(dòng)電流小和輸出的高電平不穩(wěn)定等缺點(diǎn)。下面介紹一種采用ttl推挽輸出的驅(qū)動(dòng)電路。
    四、采用ttl推挽輸出的驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)量實(shí)驗(yàn)
    下面通過(guò)實(shí)驗(yàn)分別對(duì)磁頭輸出信號(hào)大小與檢測(cè)距離之間的關(guān)系、傳感器的驅(qū)動(dòng)能力、傳感器溫度穩(wěn)定性等進(jìn)行測(cè)試。
    1、磁頭輸出信號(hào)大小與檢測(cè)距離關(guān)系實(shí)驗(yàn)
    隨機(jī)選出三個(gè)圖1所示的銻化銦磁頭,磁頭靈敏度均為3.2倍(b=0.3t),分別標(biāo)記為1!3#。改變檢測(cè)距離,分別記錄不同檢測(cè)距離時(shí)磁敏電阻輸出的信號(hào)峰值vpp,得出的磁敏電阻輸出信號(hào)與檢測(cè)距離的關(guān)系如圖4。
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