NLAS4684超低電阻雙SPDT模擬開關
發(fā)布時間:2011/7/20 12:00:07 訪問次數(shù):1093
NLAS4684超低電阻雙SPDT模擬開關電路的基本特性:
NLAS4684是一個用亞微米硅門CMOS技術制造的先進CMOS模擬開關。此器件是一個獨立的單刀雙擲(SPDT)開關,超低0.5ΩRon。用于常閉合開關,在2.7V時,0.8Ω用于常開開關。
1) 超低Ron,在2.7V時<0.5Ω;
2) 在Vcc為2.7—3.3V時,具有1.8V控制的閾值可調功能;
3) 單電源電壓范圍為1.8—5.5V;
4) 低串擾,在lOOkHz時<83dB;
5) 全O~ Vcc信號處理能力;
6) 高隔離,在lOOkHz時為-65dB;
7) 低待機電流<50nA;
8) 低失真<0.14%THD;
9) RON平直度為0.15Ω;
10)引腳替代MAX4684;
11)通過每個開關的高持續(xù)電流為±300mA;
12)在模擬輸入時大電流通過二極管,持續(xù)電流為±300mA;
13)無鉛封裝可用。
NLAS4684超低電阻雙SPDT模擬開關電路的基本特性:
NLAS4684是一個用亞微米硅門CMOS技術制造的先進CMOS模擬開關。此器件是一個獨立的單刀雙擲(SPDT)開關,超低0.5ΩRon。用于常閉合開關,在2.7V時,0.8Ω用于常開開關。
1) 超低Ron,在2.7V時<0.5Ω;
2) 在Vcc為2.7—3.3V時,具有1.8V控制的閾值可調功能;
3) 單電源電壓范圍為1.8—5.5V;
4) 低串擾,在lOOkHz時<83dB;
5) 全O~ Vcc信號處理能力;
6) 高隔離,在lOOkHz時為-65dB;
7) 低待機電流<50nA;
8) 低失真<0.14%THD;
9) RON平直度為0.15Ω;
10)引腳替代MAX4684;
11)通過每個開關的高持續(xù)電流為±300mA;
12)在模擬輸入時大電流通過二極管,持續(xù)電流為±300mA;
13)無鉛封裝可用。