半導(dǎo)體制造的雙輪驅(qū)動(dòng)
發(fā)布時(shí)間:2011/8/22 13:55:53 訪問(wèn)次數(shù):2452
摩爾定律縱橫IT產(chǎn)業(yè)發(fā)展幾十年,左右半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)程迄今未衰,集成度不斷攀升,價(jià)格持續(xù)下降,靠的是什么?從技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)說(shuō),靠的是半導(dǎo)體制造的雙輪驅(qū)動(dòng):一個(gè)輪子是晶體管尺寸不斷縮小,另一個(gè)輪子是晶圓尺寸不斷增大。
1.工藝的突飛猛進(jìn)——特征尺寸的縮小
集成度是集成電路技術(shù)進(jìn)步的標(biāo)識(shí)性參數(shù),提高集成度的關(guān)鍵是縮小晶體管尺寸,而縮小晶體管尺寸集的關(guān)鍵是微細(xì)加工技術(shù),其標(biāo)志即半導(dǎo)體制遣的特征尺寸,是衡量集成電路T藝水平的關(guān)鍵指標(biāo)。
1)什么是特征尺寸
特征尺寸( feature size),又稱(chēng)為工藝線(xiàn)或關(guān)鍵尺寸,指的是半導(dǎo)體制造工藝可以實(shí)現(xiàn)的平面結(jié)構(gòu)的最小尺寸,通常是指最窄的線(xiàn)寬。把集成電路芯片放大,可以看到類(lèi)似印制電路板上的線(xiàn)條(見(jiàn)圖3.1.9(a))。而集成電路的細(xì)胞是晶體管,晶體管的物理
實(shí)現(xiàn)如圖3.1.9(b)所示,是由不同導(dǎo)電物理性能的區(qū)域形成,這些區(qū)域從平面看就是不同形狀、不同尺寸的線(xiàn)條。特征尺寸指的就是可以做到的線(xiàn)寬或間隙的最小尺寸,顯然這個(gè)尺寸越小,晶體管的尺寸就越小,在硅片的單位面積所容納的晶體管就越多,集成電路
的集成度就越高。換句話(huà)說(shuō),同樣規(guī)模的集成電路,特征尺寸越小,占用的硅片面積就越小,集成電路的成本就越低。
2)特征尺寸是集成電路水平的標(biāo)志
集成電路特征尺寸的大小取決于一系列制造工藝的復(fù)雜性和設(shè)備的精確度,其中最關(guān)鍵的是光刻工藝和設(shè)備,有關(guān)技術(shù)將在后面專(zhuān)門(mén)介紹。特征尺寸越小,技術(shù)門(mén)檻越高,制造廠需要的投資越大。從早期的幾十億美元到近年超過(guò)百億美元的巨大投資和隨之而來(lái)的風(fēng)險(xiǎn),使特征尺寸一次又一次的減小成為企業(yè)激烈競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。
特征尺寸的減小帶來(lái)的進(jìn)步,不僅僅是集成度的提高。在電路內(nèi)部,特征尺寸越小,信號(hào)傳遞距離愈短,速度愈快;同時(shí)還有工作電源電壓降低,功率消耗降低的優(yōu)點(diǎn)。圖3.1.10所示為MOS晶體管器件尺寸縮小比例志與其集成度、電壓、電流、傳輸延遲、消耗功率等性能的變化關(guān)系。
圖3.1. 11表示隨著特征尺寸從lOμm、3μm、0.5μm到45nm、32nm、lOnm不斷減小,集成度以幾何級(jí)數(shù)提高的示意圖。
3)特征尺寸變化預(yù)測(cè)
自從摩爾定律得到業(yè)界認(rèn)可并日益顯示出對(duì)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的臣大作用以來(lái),不同機(jī)構(gòu)、不同專(zhuān)家推出過(guò)許多半導(dǎo)體發(fā)展的預(yù)測(cè),如圖3.1. 12所示是國(guó)際半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)的兩次預(yù)測(cè)。
這些預(yù)測(cè)在隨后的實(shí)際發(fā)展中證明,有的比較準(zhǔn)確,有的與實(shí)際差別較大甚至相去甚遠(yuǎn)。鑒于預(yù)測(cè)者所處時(shí)期的工藝技術(shù)水平和預(yù)測(cè)者本身的認(rèn)識(shí)能力,預(yù)測(cè)的準(zhǔn)確性出現(xiàn)問(wèn)題在所難免,出現(xiàn)較大誤差也可以理解。但是有些所謂權(quán)威機(jī)構(gòu)或?qū)<疫^(guò)于武斷的結(jié)
論甚至不負(fù)責(zé)任的斷言,往往給缺乏判斷能力的新人造成思維禁錮或錯(cuò)誤判斷,有可能對(duì)科技工作發(fā)展形成誤導(dǎo),產(chǎn)生負(fù)面影響。
不僅如此,科技界學(xué)術(shù)危害極大的學(xué)術(shù)腐敗加劇了問(wèn)題復(fù)雜性,對(duì)于任何預(yù)測(cè)、結(jié)論、理論等保持清醒的頭腦,提倡獨(dú)立思考,科學(xué)分析。 QMV47AP5
摩爾定律縱橫IT產(chǎn)業(yè)發(fā)展幾十年,左右半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)程迄今未衰,集成度不斷攀升,價(jià)格持續(xù)下降,靠的是什么?從技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)說(shuō),靠的是半導(dǎo)體制造的雙輪驅(qū)動(dòng):一個(gè)輪子是晶體管尺寸不斷縮小,另一個(gè)輪子是晶圓尺寸不斷增大。
1.工藝的突飛猛進(jìn)——特征尺寸的縮小
集成度是集成電路技術(shù)進(jìn)步的標(biāo)識(shí)性參數(shù),提高集成度的關(guān)鍵是縮小晶體管尺寸,而縮小晶體管尺寸集的關(guān)鍵是微細(xì)加工技術(shù),其標(biāo)志即半導(dǎo)體制遣的特征尺寸,是衡量集成電路T藝水平的關(guān)鍵指標(biāo)。
1)什么是特征尺寸
特征尺寸( feature size),又稱(chēng)為工藝線(xiàn)或關(guān)鍵尺寸,指的是半導(dǎo)體制造工藝可以實(shí)現(xiàn)的平面結(jié)構(gòu)的最小尺寸,通常是指最窄的線(xiàn)寬。把集成電路芯片放大,可以看到類(lèi)似印制電路板上的線(xiàn)條(見(jiàn)圖3.1.9(a))。而集成電路的細(xì)胞是晶體管,晶體管的物理
實(shí)現(xiàn)如圖3.1.9(b)所示,是由不同導(dǎo)電物理性能的區(qū)域形成,這些區(qū)域從平面看就是不同形狀、不同尺寸的線(xiàn)條。特征尺寸指的就是可以做到的線(xiàn)寬或間隙的最小尺寸,顯然這個(gè)尺寸越小,晶體管的尺寸就越小,在硅片的單位面積所容納的晶體管就越多,集成電路
的集成度就越高。換句話(huà)說(shuō),同樣規(guī)模的集成電路,特征尺寸越小,占用的硅片面積就越小,集成電路的成本就越低。
2)特征尺寸是集成電路水平的標(biāo)志
集成電路特征尺寸的大小取決于一系列制造工藝的復(fù)雜性和設(shè)備的精確度,其中最關(guān)鍵的是光刻工藝和設(shè)備,有關(guān)技術(shù)將在后面專(zhuān)門(mén)介紹。特征尺寸越小,技術(shù)門(mén)檻越高,制造廠需要的投資越大。從早期的幾十億美元到近年超過(guò)百億美元的巨大投資和隨之而來(lái)的風(fēng)險(xiǎn),使特征尺寸一次又一次的減小成為企業(yè)激烈競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。
特征尺寸的減小帶來(lái)的進(jìn)步,不僅僅是集成度的提高。在電路內(nèi)部,特征尺寸越小,信號(hào)傳遞距離愈短,速度愈快;同時(shí)還有工作電源電壓降低,功率消耗降低的優(yōu)點(diǎn)。圖3.1.10所示為MOS晶體管器件尺寸縮小比例志與其集成度、電壓、電流、傳輸延遲、消耗功率等性能的變化關(guān)系。
圖3.1. 11表示隨著特征尺寸從lOμm、3μm、0.5μm到45nm、32nm、lOnm不斷減小,集成度以幾何級(jí)數(shù)提高的示意圖。
3)特征尺寸變化預(yù)測(cè)
自從摩爾定律得到業(yè)界認(rèn)可并日益顯示出對(duì)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的臣大作用以來(lái),不同機(jī)構(gòu)、不同專(zhuān)家推出過(guò)許多半導(dǎo)體發(fā)展的預(yù)測(cè),如圖3.1. 12所示是國(guó)際半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)的兩次預(yù)測(cè)。
這些預(yù)測(cè)在隨后的實(shí)際發(fā)展中證明,有的比較準(zhǔn)確,有的與實(shí)際差別較大甚至相去甚遠(yuǎn)。鑒于預(yù)測(cè)者所處時(shí)期的工藝技術(shù)水平和預(yù)測(cè)者本身的認(rèn)識(shí)能力,預(yù)測(cè)的準(zhǔn)確性出現(xiàn)問(wèn)題在所難免,出現(xiàn)較大誤差也可以理解。但是有些所謂權(quán)威機(jī)構(gòu)或?qū)<疫^(guò)于武斷的結(jié)
論甚至不負(fù)責(zé)任的斷言,往往給缺乏判斷能力的新人造成思維禁錮或錯(cuò)誤判斷,有可能對(duì)科技工作發(fā)展形成誤導(dǎo),產(chǎn)生負(fù)面影響。
不僅如此,科技界學(xué)術(shù)危害極大的學(xué)術(shù)腐敗加劇了問(wèn)題復(fù)雜性,對(duì)于任何預(yù)測(cè)、結(jié)論、理論等保持清醒的頭腦,提倡獨(dú)立思考,科學(xué)分析。 QMV47AP5
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