絕緣柵雙極晶體管IGBT在實(shí)際應(yīng)用中要采取哪些保護(hù)措施？
發(fā)布時(shí)間:2011/9/5 11:44:43 訪問次數(shù):1242
IGBT在實(shí)際應(yīng)用中常用的保護(hù)措施如下。 A2917SEB
①過流保護(hù)。通過檢測出的過電流信號切斷控制極信號，使IGBT關(guān)斷。
②過壓保護(hù)。設(shè)置吸收電路可抑制過電壓并限制電壓上升率du/dt。
③過熱保護(hù)。利用溫度傳感器檢測出IGBT的殼溫，當(dāng)超過允許值時(shí)令主電路跳閘。
下面重點(diǎn)介紹兩種過流保護(hù)電路，如圖7-28所示。
圖7-28(a)電路中，當(dāng)流過IGBT的電流ID超過一定值時(shí)，電阻RE上的電壓足以觸發(fā)晶閘管VT使之導(dǎo)通，從而把輸入信號短路，IGBT失去柵壓而關(guān)斷。該電路不足之處是RE上要消耗能量。圖7-28 (b)是以霍爾傳感器代替了RE，克服了上述電路的缺點(diǎn)。
IGBT在實(shí)際應(yīng)用中常用的保護(hù)措施如下。 A2917SEB
①過流保護(hù)。通過檢測出的過電流信號切斷控制極信號，使IGBT關(guān)斷。
②過壓保護(hù)。設(shè)置吸收電路可抑制過電壓并限制電壓上升率du/dt。
③過熱保護(hù)。利用溫度傳感器檢測出IGBT的殼溫，當(dāng)超過允許值時(shí)令主電路跳閘。
下面重點(diǎn)介紹兩種過流保護(hù)電路，如圖7-28所示。
圖7-28(a)電路中，當(dāng)流過IGBT的電流ID超過一定值時(shí)，電阻RE上的電壓足以觸發(fā)晶閘管VT使之導(dǎo)通，從而把輸入信號短路，IGBT失去柵壓而關(guān)斷。該電路不足之處是RE上要消耗能量。圖7-28 (b)是以霍爾傳感器代替了RE，克服了上述電路的缺點(diǎn)。
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