旁路電容器
發(fā)布時間:2011/12/17 10:38:37 訪問次數(shù):662
在較低頻率時，如圖10.1中的C2發(fā)射極旁路電容器的容抗已經(jīng)變得不可忽略，PCI9052發(fā)射極（或FET源極端）不再是交流接地。容抗XC2與RE(或Rs)并聯(lián)產(chǎn)生的阻抗會使增益值降低。如圖10.2所示。
例如當頻率足夠高時，XC≈0Ω，且共發(fā)射極放大器的電壓增益是Av=Rc/re'。在較低頻率時，Xc》0Ω，此時電壓增益是Av= RC/(re+Ze)。
在較低頻率時，如圖10.1中的C2發(fā)射極旁路電容器的容抗已經(jīng)變得不可忽略，PCI9052發(fā)射極（或FET源極端）不再是交流接地。容抗XC2與RE(或Rs)并聯(lián)產(chǎn)生的阻抗會使增益值降低。如圖10.2所示。
例如當頻率足夠高時，XC≈0Ω，且共發(fā)射極放大器的電壓增益是Av=Rc/re'。在較低頻率時，Xc》0Ω，此時電壓增益是Av= RC/(re+Ze)。
上一篇：耦合電容器的影響
上一篇：晶體管內(nèi)部電容
相關技術資料- 9-21供應鏈管理實際就是生產(chǎn)物料管理
- 12-17旁路電容器
熱門點擊
- NPN型三極管各電極電壓與電流的關系
- 圖解電阻分壓電路結(jié)構
- 電氣設備絕緣水平的確定
- 變?nèi)荻䴓O管它的結(jié)電容值會隨著反向偏壓而改變
- 集成運放反相器電路
- 閉路電視的安裝
- 放大電路的非線性失真
- 漏電保護器的接線
- N型與P型半導體
- 推挽式MOSFET放大器
推薦技術資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺儀器中同時實現(xiàn)時域和頻域分析，DS... [詳細]
公網(wǎng)安備44030402000607
