元器件失效分析的基本技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2012/4/19 19:14:10 訪問(wèn)次數(shù):1304
失效分析是電子元器件可靠性工作中的一項(xiàng)重要內(nèi)容，是開(kāi)展電子元器件可靠性設(shè)計(jì)工作中的一個(gè)重要基礎(chǔ)技術(shù)工作，它主要包括失效情況的調(diào)查分析、失效模式的鑒別、失效特征描述、假設(shè)和確定失效模式或失效機(jī)理、提出糾正措施和預(yù)防新失效因素的考慮等。失效分析工作中常XC4VSX35-10FFG668I用的失效信息分析技術(shù)主要有失效（故障）統(tǒng)計(jì)分析方法（如因果圖、直方圖、排列圖）和失效模式及其效應(yīng)分析(FMEA)等，在許多重要領(lǐng)域，這些都被明確規(guī)定為設(shè)計(jì)人員必須掌握的分析技術(shù)，也是IS09000標(biāo)準(zhǔn)中所推薦的信息分析技術(shù)。
電子元器件失效分析的基礎(chǔ)技術(shù)主要為：
①基本分析技術(shù)，包括外觀檢查、電性能分析、內(nèi)部鏡檢、特性曲線分析、試驗(yàn)分析等方面。
②無(wú)損檢測(cè)分析技術(shù)，不必破壞樣品而進(jìn)行失效定位和失效分析的非破壞性分析技術(shù)。
③解剖分析技術(shù)，或稱(chēng)破壞性物理分析(DPA)技術(shù)，目的是為了對(duì)電子元器件內(nèi)部進(jìn)行仔細(xì)的檢查和測(cè)試分析，尋找工藝缺陷和結(jié)構(gòu)缺陷。
由于上述分析方法的具體操作是由失效分析和可靠性專(zhuān)業(yè)人員利用儀器、設(shè)備去完成，在此不加以討論，本節(jié)主要介紹需要進(jìn)行失效分析的主要內(nèi)容。失效分析的主要內(nèi)容一般包括外觀缺陷、電性能穩(wěn)定性和內(nèi)部缺陷（含工藝缺陷）的分析。
電子元器件失效分析的基礎(chǔ)技術(shù)主要為：
①基本分析技術(shù)，包括外觀檢查、電性能分析、內(nèi)部鏡檢、特性曲線分析、試驗(yàn)分析等方面。
②無(wú)損檢測(cè)分析技術(shù)，不必破壞樣品而進(jìn)行失效定位和失效分析的非破壞性分析技術(shù)。
③解剖分析技術(shù)，或稱(chēng)破壞性物理分析(DPA)技術(shù)，目的是為了對(duì)電子元器件內(nèi)部進(jìn)行仔細(xì)的檢查和測(cè)試分析，尋找工藝缺陷和結(jié)構(gòu)缺陷。
由于上述分析方法的具體操作是由失效分析和可靠性專(zhuān)業(yè)人員利用儀器、設(shè)備去完成，在此不加以討論，本節(jié)主要介紹需要進(jìn)行失效分析的主要內(nèi)容。失效分析的主要內(nèi)容一般包括外觀缺陷、電性能穩(wěn)定性和內(nèi)部缺陷（含工藝缺陷）的分析。
失效分析是電子元器件可靠性工作中的一項(xiàng)重要內(nèi)容，是開(kāi)展電子元器件可靠性設(shè)計(jì)工作中的一個(gè)重要基礎(chǔ)技術(shù)工作，它主要包括失效情況的調(diào)查分析、失效模式的鑒別、失效特征描述、假設(shè)和確定失效模式或失效機(jī)理、提出糾正措施和預(yù)防新失效因素的考慮等。失效分析工作中常XC4VSX35-10FFG668I用的失效信息分析技術(shù)主要有失效（故障）統(tǒng)計(jì)分析方法（如因果圖、直方圖、排列圖）和失效模式及其效應(yīng)分析(FMEA)等，在許多重要領(lǐng)域，這些都被明確規(guī)定為設(shè)計(jì)人員必須掌握的分析技術(shù)，也是IS09000標(biāo)準(zhǔn)中所推薦的信息分析技術(shù)。
電子元器件失效分析的基礎(chǔ)技術(shù)主要為：
①基本分析技術(shù)，包括外觀檢查、電性能分析、內(nèi)部鏡檢、特性曲線分析、試驗(yàn)分析等方面。
②無(wú)損檢測(cè)分析技術(shù)，不必破壞樣品而進(jìn)行失效定位和失效分析的非破壞性分析技術(shù)。
③解剖分析技術(shù)，或稱(chēng)破壞性物理分析(DPA)技術(shù)，目的是為了對(duì)電子元器件內(nèi)部進(jìn)行仔細(xì)的檢查和測(cè)試分析，尋找工藝缺陷和結(jié)構(gòu)缺陷。
由于上述分析方法的具體操作是由失效分析和可靠性專(zhuān)業(yè)人員利用儀器、設(shè)備去完成，在此不加以討論，本節(jié)主要介紹需要進(jìn)行失效分析的主要內(nèi)容。失效分析的主要內(nèi)容一般包括外觀缺陷、電性能穩(wěn)定性和內(nèi)部缺陷（含工藝缺陷）的分析。
電子元器件失效分析的基礎(chǔ)技術(shù)主要為：
①基本分析技術(shù)，包括外觀檢查、電性能分析、內(nèi)部鏡檢、特性曲線分析、試驗(yàn)分析等方面。
②無(wú)損檢測(cè)分析技術(shù)，不必破壞樣品而進(jìn)行失效定位和失效分析的非破壞性分析技術(shù)。
③解剖分析技術(shù)，或稱(chēng)破壞性物理分析(DPA)技術(shù)，目的是為了對(duì)電子元器件內(nèi)部進(jìn)行仔細(xì)的檢查和測(cè)試分析，尋找工藝缺陷和結(jié)構(gòu)缺陷。
由于上述分析方法的具體操作是由失效分析和可靠性專(zhuān)業(yè)人員利用儀器、設(shè)備去完成，在此不加以討論，本節(jié)主要介紹需要進(jìn)行失效分析的主要內(nèi)容。失效分析的主要內(nèi)容一般包括外觀缺陷、電性能穩(wěn)定性和內(nèi)部缺陷（含工藝缺陷）的分析。
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