靜電防護(hù)的主要措施
發(fā)布時間:2012/4/19 20:08:09 訪問次數(shù):2708
靜電防護(hù)的主要措施有SGM2007-3.3XN5/TR防止靜電產(chǎn)生、消除已產(chǎn)生的靜電和設(shè)計保護(hù)電路等幾種。
1)防止靜電產(chǎn)生
防止靜電產(chǎn)生的途徑主要是：
①控制生產(chǎn)環(huán)境。相對濕度的最佳范圍為50%～90%，通風(fēng)降溫設(shè)施風(fēng)速降低有利于減少靜電的產(chǎn)生，一般相對濕度低于40%就要采取增濕措施。
②控制生產(chǎn)工藝。在可能的情況下盡量減少將接觸分離的機(jī)槭動作幅度，控制生產(chǎn)的速度和碰撞、磨損的力度。
③控制和選用材料。當(dāng)一種物體表面與另一種物體表面摩擦?xí)r，摩擦熱轉(zhuǎn)變物體表面的電子能量，使之超過庫侖約束能極，而使這些電子脫離它們的外層運轉(zhuǎn)軌道，進(jìn)入另一物體的外層運轉(zhuǎn)軌道，產(chǎn)生兩種離子，即帶正電荷和帶負(fù)電荷。對此了解易于產(chǎn)生靜電的部位和零件，將其中之一改變?yōu)槟Σ僚鲎矊ο笙嗤牟牧匣蜢o電序列中位置較近的材料，使之相互對外層的電子能差不多，這樣產(chǎn)生的靜電較小。
④防止人體帶電。操作人員是最大的活動靜電源，且?guī)У撵o電電量較大，因此應(yīng)作為重點控制對象。
⑤建立防靜電安全工作區(qū)。操作區(qū)內(nèi)的所有工作臺面必須是防靜電的，每個操作ESD人員必須戴上防靜電腕帶，穿著防靜電工作服和導(dǎo)電鞋。
2)消除已產(chǎn)生的靜電
消除已產(chǎn)生的靜電主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法適用于靜電導(dǎo)體，中和法適用于靜電非導(dǎo)體。
①泄漏法。泄漏一般是開辟一條靜電通路，讓靜電電荷通過它進(jìn)人大地或類似可容納大量靜電電荷的接近零電位的物體，其泄漏速度不宜過快，一般要求在0. Is內(nèi)將人體等靜電電源的靜電位降到100V以下即可，由此可計算出泄漏的電阻應(yīng)小于loioQ�？紤]到人體的安全，此電阻應(yīng)大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用離子靜電消除器。
3)采用抗靜電技術(shù)，設(shè)計保護(hù)電路
要提高元器件的抗ESD能力，主要從三方面人手進(jìn)行抗靜電設(shè)計：
①設(shè)計具有抗ESD能力的電路和版圖。
②優(yōu)化工藝設(shè)計。
③改進(jìn)封裝和測試。
不同的電子元器件，提高產(chǎn)品抗ESD鈍力的措施不同。例如，對于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，盡可能提高柵總寬度Wg；對于硅微波低噪聲晶體管，應(yīng)盡可能提高B VEB擊穿電壓，增加發(fā)射極周長和面積，增加和改善EB結(jié)結(jié)構(gòu)，并在輸入端增加脈沖吸收網(wǎng)絡(luò)；對靜電敏感IC的最易受損的管腳處（例如，在V cc和I/O管腳等處）安裝一個瞬態(tài)抑制器，即片式多層壓敏電阻器就能起到保護(hù)IC的作用；具有獨石結(jié)構(gòu)的多層壓敏電阻器與MLCC結(jié)構(gòu)類似，內(nèi)電極與陶瓷薄層交錯并聯(lián)經(jīng)端電極引出，除進(jìn)一步實現(xiàn)瓷體薄層化降低擊穿電壓外，多層并聯(lián)使電極有效面積成倍增加，從而極大地提高其通流量和靜電容量值，并有效地縮小元件的體積與減輕重量。
1)防止靜電產(chǎn)生
防止靜電產(chǎn)生的途徑主要是：
①控制生產(chǎn)環(huán)境。相對濕度的最佳范圍為50%～90%，通風(fēng)降溫設(shè)施風(fēng)速降低有利于減少靜電的產(chǎn)生，一般相對濕度低于40%就要采取增濕措施。
②控制生產(chǎn)工藝。在可能的情況下盡量減少將接觸分離的機(jī)槭動作幅度，控制生產(chǎn)的速度和碰撞、磨損的力度。
③控制和選用材料。當(dāng)一種物體表面與另一種物體表面摩擦?xí)r，摩擦熱轉(zhuǎn)變物體表面的電子能量，使之超過庫侖約束能極，而使這些電子脫離它們的外層運轉(zhuǎn)軌道，進(jìn)入另一物體的外層運轉(zhuǎn)軌道，產(chǎn)生兩種離子，即帶正電荷和帶負(fù)電荷。對此了解易于產(chǎn)生靜電的部位和零件，將其中之一改變?yōu)槟Σ僚鲎矊ο笙嗤牟牧匣蜢o電序列中位置較近的材料，使之相互對外層的電子能差不多，這樣產(chǎn)生的靜電較小。
④防止人體帶電。操作人員是最大的活動靜電源，且?guī)У撵o電電量較大，因此應(yīng)作為重點控制對象。
⑤建立防靜電安全工作區(qū)。操作區(qū)內(nèi)的所有工作臺面必須是防靜電的，每個操作ESD人員必須戴上防靜電腕帶，穿著防靜電工作服和導(dǎo)電鞋。
2)消除已產(chǎn)生的靜電
消除已產(chǎn)生的靜電主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法適用于靜電導(dǎo)體，中和法適用于靜電非導(dǎo)體。
①泄漏法。泄漏一般是開辟一條靜電通路，讓靜電電荷通過它進(jìn)人大地或類似可容納大量靜電電荷的接近零電位的物體，其泄漏速度不宜過快，一般要求在0. Is內(nèi)將人體等靜電電源的靜電位降到100V以下即可，由此可計算出泄漏的電阻應(yīng)小于loioQ�？紤]到人體的安全，此電阻應(yīng)大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用離子靜電消除器。
3)采用抗靜電技術(shù)，設(shè)計保護(hù)電路
要提高元器件的抗ESD能力，主要從三方面人手進(jìn)行抗靜電設(shè)計：
①設(shè)計具有抗ESD能力的電路和版圖。
②優(yōu)化工藝設(shè)計。
③改進(jìn)封裝和測試。
不同的電子元器件，提高產(chǎn)品抗ESD鈍力的措施不同。例如，對于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，盡可能提高柵總寬度Wg；對于硅微波低噪聲晶體管，應(yīng)盡可能提高B VEB擊穿電壓，增加發(fā)射極周長和面積，增加和改善EB結(jié)結(jié)構(gòu)，并在輸入端增加脈沖吸收網(wǎng)絡(luò)；對靜電敏感IC的最易受損的管腳處（例如，在V cc和I/O管腳等處）安裝一個瞬態(tài)抑制器，即片式多層壓敏電阻器就能起到保護(hù)IC的作用；具有獨石結(jié)構(gòu)的多層壓敏電阻器與MLCC結(jié)構(gòu)類似，內(nèi)電極與陶瓷薄層交錯并聯(lián)經(jīng)端電極引出，除進(jìn)一步實現(xiàn)瓷體薄層化降低擊穿電壓外，多層并聯(lián)使電極有效面積成倍增加，從而極大地提高其通流量和靜電容量值，并有效地縮小元件的體積與減輕重量。
靜電防護(hù)的主要措施有SGM2007-3.3XN5/TR防止靜電產(chǎn)生、消除已產(chǎn)生的靜電和設(shè)計保護(hù)電路等幾種。
1)防止靜電產(chǎn)生
防止靜電產(chǎn)生的途徑主要是：
①控制生產(chǎn)環(huán)境。相對濕度的最佳范圍為50%～90%，通風(fēng)降溫設(shè)施風(fēng)速降低有利于減少靜電的產(chǎn)生，一般相對濕度低于40%就要采取增濕措施。
②控制生產(chǎn)工藝。在可能的情況下盡量減少將接觸分離的機(jī)槭動作幅度，控制生產(chǎn)的速度和碰撞、磨損的力度。
③控制和選用材料。當(dāng)一種物體表面與另一種物體表面摩擦?xí)r，摩擦熱轉(zhuǎn)變物體表面的電子能量，使之超過庫侖約束能極，而使這些電子脫離它們的外層運轉(zhuǎn)軌道，進(jìn)入另一物體的外層運轉(zhuǎn)軌道，產(chǎn)生兩種離子，即帶正電荷和帶負(fù)電荷。對此了解易于產(chǎn)生靜電的部位和零件，將其中之一改變?yōu)槟Σ僚鲎矊ο笙嗤牟牧匣蜢o電序列中位置較近的材料，使之相互對外層的電子能差不多，這樣產(chǎn)生的靜電較小。
④防止人體帶電。操作人員是最大的活動靜電源，且?guī)У撵o電電量較大，因此應(yīng)作為重點控制對象。
⑤建立防靜電安全工作區(qū)。操作區(qū)內(nèi)的所有工作臺面必須是防靜電的，每個操作ESD人員必須戴上防靜電腕帶，穿著防靜電工作服和導(dǎo)電鞋。
2)消除已產(chǎn)生的靜電
消除已產(chǎn)生的靜電主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法適用于靜電導(dǎo)體，中和法適用于靜電非導(dǎo)體。
①泄漏法。泄漏一般是開辟一條靜電通路，讓靜電電荷通過它進(jìn)人大地或類似可容納大量靜電電荷的接近零電位的物體，其泄漏速度不宜過快，一般要求在0. Is內(nèi)將人體等靜電電源的靜電位降到100V以下即可，由此可計算出泄漏的電阻應(yīng)小于loioQ�？紤]到人體的安全，此電阻應(yīng)大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用離子靜電消除器。
3)采用抗靜電技術(shù)，設(shè)計保護(hù)電路
要提高元器件的抗ESD能力，主要從三方面人手進(jìn)行抗靜電設(shè)計：
①設(shè)計具有抗ESD能力的電路和版圖。
②優(yōu)化工藝設(shè)計。
③改進(jìn)封裝和測試。
不同的電子元器件，提高產(chǎn)品抗ESD鈍力的措施不同。例如，對于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，盡可能提高柵總寬度Wg；對于硅微波低噪聲晶體管，應(yīng)盡可能提高B VEB擊穿電壓，增加發(fā)射極周長和面積，增加和改善EB結(jié)結(jié)構(gòu)，并在輸入端增加脈沖吸收網(wǎng)絡(luò)；對靜電敏感IC的最易受損的管腳處（例如，在V cc和I/O管腳等處）安裝一個瞬態(tài)抑制器，即片式多層壓敏電阻器就能起到保護(hù)IC的作用；具有獨石結(jié)構(gòu)的多層壓敏電阻器與MLCC結(jié)構(gòu)類似，內(nèi)電極與陶瓷薄層交錯并聯(lián)經(jīng)端電極引出，除進(jìn)一步實現(xiàn)瓷體薄層化降低擊穿電壓外，多層并聯(lián)使電極有效面積成倍增加，從而極大地提高其通流量和靜電容量值，并有效地縮小元件的體積與減輕重量。
1)防止靜電產(chǎn)生
防止靜電產(chǎn)生的途徑主要是：
①控制生產(chǎn)環(huán)境。相對濕度的最佳范圍為50%～90%，通風(fēng)降溫設(shè)施風(fēng)速降低有利于減少靜電的產(chǎn)生，一般相對濕度低于40%就要采取增濕措施。
②控制生產(chǎn)工藝。在可能的情況下盡量減少將接觸分離的機(jī)槭動作幅度，控制生產(chǎn)的速度和碰撞、磨損的力度。
③控制和選用材料。當(dāng)一種物體表面與另一種物體表面摩擦?xí)r，摩擦熱轉(zhuǎn)變物體表面的電子能量，使之超過庫侖約束能極，而使這些電子脫離它們的外層運轉(zhuǎn)軌道，進(jìn)入另一物體的外層運轉(zhuǎn)軌道，產(chǎn)生兩種離子，即帶正電荷和帶負(fù)電荷。對此了解易于產(chǎn)生靜電的部位和零件，將其中之一改變?yōu)槟Σ僚鲎矊ο笙嗤牟牧匣蜢o電序列中位置較近的材料，使之相互對外層的電子能差不多，這樣產(chǎn)生的靜電較小。
④防止人體帶電。操作人員是最大的活動靜電源，且?guī)У撵o電電量較大，因此應(yīng)作為重點控制對象。
⑤建立防靜電安全工作區(qū)。操作區(qū)內(nèi)的所有工作臺面必須是防靜電的，每個操作ESD人員必須戴上防靜電腕帶，穿著防靜電工作服和導(dǎo)電鞋。
2)消除已產(chǎn)生的靜電
消除已產(chǎn)生的靜電主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法適用于靜電導(dǎo)體，中和法適用于靜電非導(dǎo)體。
①泄漏法。泄漏一般是開辟一條靜電通路，讓靜電電荷通過它進(jìn)人大地或類似可容納大量靜電電荷的接近零電位的物體，其泄漏速度不宜過快，一般要求在0. Is內(nèi)將人體等靜電電源的靜電位降到100V以下即可，由此可計算出泄漏的電阻應(yīng)小于loioQ�？紤]到人體的安全，此電阻應(yīng)大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用離子靜電消除器。
3)采用抗靜電技術(shù)，設(shè)計保護(hù)電路
要提高元器件的抗ESD能力，主要從三方面人手進(jìn)行抗靜電設(shè)計：
①設(shè)計具有抗ESD能力的電路和版圖。
②優(yōu)化工藝設(shè)計。
③改進(jìn)封裝和測試。
不同的電子元器件，提高產(chǎn)品抗ESD鈍力的措施不同。例如，對于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，盡可能提高柵總寬度Wg；對于硅微波低噪聲晶體管，應(yīng)盡可能提高B VEB擊穿電壓，增加發(fā)射極周長和面積，增加和改善EB結(jié)結(jié)構(gòu)，并在輸入端增加脈沖吸收網(wǎng)絡(luò)；對靜電敏感IC的最易受損的管腳處（例如，在V cc和I/O管腳等處）安裝一個瞬態(tài)抑制器，即片式多層壓敏電阻器就能起到保護(hù)IC的作用；具有獨石結(jié)構(gòu)的多層壓敏電阻器與MLCC結(jié)構(gòu)類似，內(nèi)電極與陶瓷薄層交錯并聯(lián)經(jīng)端電極引出，除進(jìn)一步實現(xiàn)瓷體薄層化降低擊穿電壓外，多層并聯(lián)使電極有效面積成倍增加，從而極大地提高其通流量和靜電容量值，并有效地縮小元件的體積與減輕重量。
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