在通常CMOS工藝中，淀積完P(guān)oly后進(jìn)行LDD注入，形成的E13003結(jié)構(gòu)如圖2. 64(a)所示。在LDD注入之后生長Spacer(=氧化硅或氮化硅)，然后再進(jìn)行S、D注入，如圖2. 64(b)所示，由于Spacer的阻擋作用，形成了LDD結(jié)構(gòu)。LDD結(jié)構(gòu)雖然改進(jìn)了熱載流子效應(yīng)，但對(duì)提高抗ESD能力是非常不利的。
    加入ESD版可以改進(jìn)N管的抗ESD能力。其具體做法是在LDD工藝之后加一層ESD注入，以提高原LDD區(qū)域的濃度，形成HDD，如圖2.64(c)和(d)，之后再生長Spacer，生長S、D。